我國首臺具有自主知識產(chǎn)權半導體照明關(guān)鍵設備問(wèn)世

　　近日，由青島杰生電氣有限公司承擔的國家"863"半導體照明工程重點(diǎn)項目"氮化鎵-MOCVD深紫外LED 材料生長(cháng)設備"制造取得重大突破，研制成功我國首臺具有自主知識產(chǎn)權的、能夠同時(shí)生長(cháng)6片外延片的MOCVD設備。

　　據悉，該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計算機多學(xué)科為一體，是一種自動(dòng)化程度高、價(jià)格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專(zhuān)用設備，在高亮度的藍光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽(yáng)能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域中具有廣泛應用，是半導體照明產(chǎn)業(yè)上游階段關(guān)鍵設備。而目前，國內半導體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設備全部依賴(lài)進(jìn)口。