英特爾閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過(guò)渡

美國英特爾2007年8月21日宣布，NOR閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過(guò)渡。計劃2008年上半年面向客戶(hù)供應樣品。該公司的閃存主要面向手機及數字家電等產(chǎn)品。該公司表示，生產(chǎn)工藝向65nm過(guò)渡將有利于提高性?xún)r(jià)比。 

英特爾的閃存產(chǎn)品包括低成本產(chǎn)品“StrataFlash嵌入式存儲器”和“嵌入式閃存”以及串行產(chǎn)品“串行閃存”等。