韓確定“下下一代”半導體四大重點(diǎn)領(lǐng)域

    韓國下下一代半導體策略技術(shù)的四大重點(diǎn)研發(fā)領(lǐng)域已確定為：系統設計、納米集成工程、下一代存儲器、系統統合。此次的推進(jìn)策略與以往不同，要采取“共同研發(fā)”和設備材料需求企業(yè)之間的協(xié)作體系。 

　　據韓國媒體報道，韓國產(chǎn)業(yè)資源部要以當前正改編中的策略技術(shù)開(kāi)發(fā)體系為基礎，以此確定從明年開(kāi)始的下下一代半導體研發(fā)，并對此加強政策支持。 

　　韓國產(chǎn)資部未來(lái)生活產(chǎn)業(yè)本部長(cháng)透露，通過(guò)四大領(lǐng)域的重點(diǎn)研發(fā)，大幅度增加根源、前沿的研發(fā)投資，從而確保系統半導體設計以及工程技術(shù)的領(lǐng)先，并增強產(chǎn)、學(xué)、研以及供、需企業(yè)之間的協(xié)作。 

　　為此，產(chǎn)資部以共同研發(fā)項目的擴大和設備、材料產(chǎn)業(yè)的同步增長(cháng)作為推進(jìn)策略。 

　　在四大重點(diǎn)研發(fā)領(lǐng)域中，系統設計的目標是將當前分別處于23位、13位(世界前100的基準)左右水平的半導體設計和制造技術(shù)提高到美國、日本、中國臺灣的水平。為了積極應對半導體行業(yè)細小化、集成化的趨勢而需要進(jìn)一步強化的納米集成工程，其目標不僅是確保新技術(shù)主導權，而且要提高設備、材料產(chǎn)業(yè)的競爭力。與此同時(shí)，下一代存儲器的核心是通過(guò)加強相關(guān)研發(fā)，使得當前DRAM、NAND Flash的主導權擴展到性質(zhì)上與此不同的PRAM、FeRAM、ReRAM等技術(shù)上，從而進(jìn)一步拉大與競爭國家之間的差距。 

　　除此以外，在系統領(lǐng)域上要把焦點(diǎn)放在半導體領(lǐng)域和其他產(chǎn)業(yè)之間的聯(lián)系上。其策略是從產(chǎn)品的策劃階段開(kāi)始，通過(guò)與電子、通信、汽車(chē)等共同開(kāi)發(fā)，占領(lǐng)新的半導體市場(chǎng)。 

　　產(chǎn)資部有關(guān)人員透露，通過(guò)加強中小設備、零部件企業(yè)和半導體大企業(yè)的協(xié)助，消除半導體產(chǎn)業(yè)的不均衡發(fā)展，組成健全的半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系，這也是政府的主要政策方向。當前，設備、原料、零部件占據著(zhù)半導體生產(chǎn)成本的65%以上，但國產(chǎn)化率較低，如設備的國產(chǎn)化率不到20%，零部件、原料的國產(chǎn)化率不到40%。