二線(xiàn)晶圓廠(chǎng)先進(jìn)工藝紛向一線(xiàn)大廠(chǎng)看齊 將打破工藝分水嶺局勢

　　近期全球二線(xiàn)晶圓廠(chǎng)紛搶進(jìn)0.13微米以下先進(jìn)工藝，包括馬來(lái)西亞晶圓代工廠(chǎng)Silterra、以色列晶圓廠(chǎng)寶塔半導體(Tower Semiconductor)分別宣布 ，計劃以募資、借貸方式來(lái)擴充先進(jìn)工藝產(chǎn)能，未來(lái)隨著(zhù)二線(xiàn)晶圓廠(chǎng)紛跳脫成熟工藝藩籬、邁入先進(jìn)工藝，不僅恐造成先進(jìn)工藝價(jià)格雪上加霜，并將讓0.13微米、90納米工藝不再是一線(xiàn)晶圓廠(chǎng)獨霸天下，甚至得重新改寫(xiě)“先進(jìn)工藝”定義。

　　目前90納米、0.13微米工藝由臺灣晶圓代工廠(chǎng)臺積電、聯(lián)電稱(chēng)霸，其中，臺積電90納米、0.13微米工藝各占營(yíng)收比重達23%、26%；聯(lián)電則各占約21%、16%。臺積電、聯(lián)電2家可說(shuō)在90納米、0.13微米工藝各霸一方，而這2個(gè)世代先進(jìn)工藝亦可說(shuō)是一線(xiàn)與二線(xiàn)晶圓廠(chǎng)之間主要技術(shù)分水嶺，過(guò)去二線(xiàn)晶圓廠(chǎng)多集中于0.25、0.18微米工藝及半世代0.15微米工藝，不過(guò)，這個(gè)現象最近卻明顯發(fā)生變化。

　　近期Silterra及Tower相繼宣布籌資計劃，擬擴充0.13微米及90納米工藝產(chǎn)能。其中，先前才加入歐洲微電子研究所(IMEC)90、65納米工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)計劃的Silterra，19日又宣布為因應先進(jìn)工藝成長(cháng)所需，未來(lái)幾年將分3階段擴充產(chǎn)能，第1階段將在既有產(chǎn)能規模上擴充0.18、0.13微米及其半世代0.11微米工藝產(chǎn)能至單月4萬(wàn)片，并將少量擴充90納米工藝產(chǎn)能(約1000~2000片)；第二階段是積極尋找8英寸廠(chǎng)購并對象；第三階段則擬自建12英寸晶圓廠(chǎng)，主要用來(lái)擴充90、65納米先進(jìn)工藝所需，初期單月產(chǎn)能約2萬(wàn)~2.5萬(wàn)片。

　　半導體業(yè)者透露，Silterra這項擴產(chǎn)計畫(huà)需對外募資15億~20億美元，將以現有股東及對外募資雙線(xiàn)并行，目前馬來(lái)西亞官方投資公司Khazanah持有Silterra逾9成股分。Silterra執行長(cháng)Kah Yee Eg則表示，透過(guò)這項擴充產(chǎn)能計劃，未來(lái)4~5年Silterra營(yíng)收將可望呈現每2年倍數成長(cháng)趨勢，總產(chǎn)能亦將達到單月10萬(wàn)~12萬(wàn)片8英寸約當晶圓，工藝光譜則從0.18微米工藝跨至65納米工藝。

　　無(wú)獨有偶地，Tower亦宣布與銀行簽訂4000萬(wàn)美元長(cháng)期借貸，用來(lái)擴充Fab 2產(chǎn)能。Tower執行長(cháng)Russell Ellwanger表示，由于Fab 2持續產(chǎn)能利用率超過(guò)90%，亟思擴充產(chǎn)能，將Fab 2單月產(chǎn)能一舉提升至超越2.4萬(wàn)片，并計劃于2008年以后達4萬(wàn)片產(chǎn)能，其中，新增產(chǎn)能部分將以采用0.13微米與90納米工藝為主。

　　半導體業(yè)者指出，當初90納米工藝量產(chǎn)時(shí)，市場(chǎng)競爭比起0.13微米工藝激烈，而65納米工藝又比起90納米工藝競爭更激烈，就連臺積電總執行長(cháng)蔡力行亦如此坦言，而隨著(zhù)二線(xiàn)晶圓廠(chǎng)相繼宣布跨入0.13微米、90納米先進(jìn)工藝，恐更將攪亂一池春水，使得價(jià)格環(huán)境更為雪上加霜，同時(shí)以0.13微米、90納米等先進(jìn)工藝作為一、二線(xiàn)晶圓廠(chǎng)之間分水嶺，亦將逐漸消弭，甚至恐怕連“先進(jìn)工藝”定義也會(huì )被改寫(xiě)。