微電子工藝專(zhuān)有名詞（4）
——
加入技術(shù)交流群
152 RETICLE 光罩 為使IC各個(gè)線(xiàn)路在芯片上成形（PATTERN），則必須有規范露光及遮光區域（規范曝光成形）的趙子，此稱(chēng)為光罩。
153 REWORK/SCRAP/WAIVE 修改 /報廢/簽過(guò) 修改：分ADI修改，AEI修改ADI修改：將光阻去除，重新上新光阻，已定義新的或精確的圖形。AEI修改：將已沉積或氧化的厚厚或薄層去除，重新沉積或氧化。報廢：芯片受污染或流程不合規范上之規定，造成芯片有無(wú)良率之可能，則停止流程不繼續生產(chǎn)謂之。簽過(guò)：當芯片流程至某步驟時(shí)，發(fā)現圖形或規格不合于規范內之規定，但其影響不致使芯片達報廢之程度，可由工程師簽署，繼續流程。
154 RUN IN/OUT 擠進(jìn)/擠出 1. 定義：對準不良的一種；擠進(jìn)（Run in）：不管是在水平或垂直方向，芯片中央附近對準良好，而兩邊圖案向中央擠進(jìn)。擠出（Run out）：不管是在水平或垂直方向，芯片中央附近對準良好， 而兩邊圖案向中央擠出。
155 SCRUBBER 刷洗機 1. 在沉積或蝕刻制程之后常會(huì )有些微塵落在芯片表面，此種P/D可刷洗去除，避免對良率的傷害。2. 依照膜的性質(zhì)，及機臺的特性不同，通常我們有下列5種不同刷洗方式：- 去離子水沖洗- 毛刷刷洗- 高壓水刷洗- 毛刷加高壓水刷洗- 芯片雙面刷洗
156 SAD（SOFTWARE DEFECT ANALYSIS） 缺陷分析軟件 將每片晶圓及芯片上的缺陷送入計算機中，利用缺陷分析軟件，將缺陷分類(lèi)，一便利統計及分析的工作。目前89%微縮型產(chǎn)品分類(lèi)如下：SBIT PSG PBTL CLTT OTHTPROW HROW SROW FROW 2ROWNROW OCL1 OCL2 QCL1 QCL2HCL1 HCL2 OTCO WCL1 WCL2YSEL NCOL LCIO BLK1 BLK2BLK3 OTHR APEO RWCL目前HYDRA產(chǎn)品分類(lèi)如下：SBIT PBCT PBTL CLTT OTHTPRW1 PRW2 PRW3 FROW 2RW12RW2 NRW1 NRW2 OCL1 OCL2QCL1 QCL2 HCL1 HCL2 WCL1WCL2 YSEL NCOL APED RWCLBLK1 BLY2 BLK3 OTHR（以上均為分類(lèi)時(shí)使用之表示名稱(chēng)）
157 SEM（SCANNING ELECTRON MICROSCOPE） 電子顯微鏡 EM最常用之運作方式為發(fā)射電子束方式（EMISSIVE MODE），電子油燈絲放出，而由5~30KV之電壓加速，再經(jīng)過(guò)電磁透鏡使電子束聚集照射至試片表面。一般使通過(guò)掃描線(xiàn)圈之電流同時(shí)通過(guò)相對應之陰極射線(xiàn)管偏折電子束，而在螢光幕上產(chǎn)生相似而較大之掃描動(dòng)作，達到放大之作用。掃描式電子顯微鏡的解像能介于光學(xué)顯微鏡與穿透式電子顯微鏡之間，可用于檢驗固體試片，由于視野縱深長(cháng)，可顯示清晰三度空間像。
158 SELECTIVITY 選擇性 1. 定義：兩種材料，分別以相同的酸液或電漿作蝕刻，其兩種蝕刻率之比值謂之。例如復晶電漿蝕刻：對復晶之蝕刻率為2000?/min對氧化層之蝕刻率為200 ?/min則復晶對氧化層之選擇性：SS=2000?/min/200 ?/min=10選擇性越高表示蝕刻特性越好。一般干事實(shí)刻選擇性較化學(xué)濕蝕刻為差，吾人取較高的選擇性之目的即在于電漿蝕刻專(zhuān)心蝕刻該蝕刻之氧化層，而不會(huì )商道上層光阻或下層氧化層，以確保蝕刻之完整性。
159 SILICIDE 硅化物 一般稱(chēng)為硅化物（Silicide），指耐火金屬（Refratory Metal）之硅化物，如鈦（Ti）、鎢（W）、鉬（Mo）等與元素硅（Si）結合而成之化合物（TiSi2、Wsi2、MoSi2）。硅化物應用在組件之目的，主要為降低金屬與硅接口]、閘極或晶體管串聯(lián)之阻抗，以增加組件之性能。以鈦之硅化物為例。
160 SILICIDE 金屬硅化物 1. 定義：Silicide通常指金屬硅化物，為金屬與硅之化合物。2. 目的：在微電子工業(yè)硅晶集成電路中主要用為2-1導體接觸（Ohmic Contact）2-2單向能阻接觸（Schottky Barrier Contact）2-3低阻閘極（Gate Electrode）2-4組件間通路（Interconnect）在VLSI（超大規模集成電路）時(shí)代中，接面深度及接口接觸面積分別降至次微米及1～2平方毫米，以往廣泛應用為金屬接觸的Al，由于嚴重的川入半導體問(wèn)題，在VLSI中不再適用。再加上其它技術(shù)及應用上的需求，金屬硅化物在集成電路工業(yè)上日亦受到重視。由于集成電路中之金屬硅化物限于近貴重（Pt，Pd、Co、Ni、…）及高溫金屬（Ti、W、Mo、Ta）硅化物。
161 SILICON 硅 硅－SI（全文SILICON）為自然界元素之一種，意即我們所使用的硅芯片組成元素，再元素周期表中排行14，原子量28.09，以結晶狀態(tài)存在（重復性單位細胞組成），每一單位細胞為由一個(gè)硅原子在中心與其它4個(gè)等為硅原子所組成之四面體（稱(chēng)為鉆石結構）如圖標中心原子以其4個(gè)外圍共價(jià)電子與鄰近之原子其原型或其價(jià)件之結合。硅元素之電子傳導特性介于金屬導體與絕緣體材料之間（故稱(chēng)為半導體材料），人類(lèi)可經(jīng)由溫度之變化、能量之激發(fā)及雜質(zhì)參入后改變其傳導特性，再配合了適當的制程步驟，便產(chǎn)生許多重要的電子組件，運用在人類(lèi)的日常生活中。
162 SILICON NITRIDE 氯化硅 氮化硅是SixNY的學(xué)名。這種材料跟二氧化硅有甚多相似處。氮化硅通常用低壓化學(xué)氣相沉積法或電漿化學(xué)氣相沉積法所生成。前者所得之薄膜品質(zhì)較佳，通常作IC隔離氧化技術(shù)中的阻隔層，而后者品質(zhì)較差，但因其沉積時(shí)溫度甚低可以作IC完成主結構后的保護層。
163 SMS （SEMICODUCTOR MANUFACTURING SYSTEMS） 半導體制造系統 此SMS – 半導體制造系統為德州儀器公司（TI）為輔助半導體的生產(chǎn)制造而發(fā)展出的——計算機軟件系統，其主要功能包含有：1） 制程變更控制2） 制程數據搜集與統計圖表3） 制程與操作規格制定4） 機臺維護追蹤5） 生產(chǎn)計劃制定6） 線(xiàn)上統計報表7） 在制品操作與追蹤8） 自動(dòng)化系統接口
164 SOFT WARE, HARD WARE 軟件 ,硬件 1. 定義：大略而言，所謂硬件可泛指像PC-BOARD，機臺外殼等一些零組件；而軟件一般指運用程序，指令一套完整之控制系統，可經(jīng)由程序、指令之修改而修改，以人為例子，軟件就好比腦中之記憶、思想，可控制整個(gè)身體各部分之動(dòng)作，而硬件就好比人的手、足、眼、耳等器官；由以上之比喻，可知道軟件、硬件是相輔相成，缺一不可。近來(lái)尚有一種介于Software、Hardware之間，稱(chēng)為Firm-Ware，他的功用，，就相當于把軟件寫(xiě)入硬件(比如PROM)，以加快速度，因此軟、硬件間的區分也變得較不明顯了。
165 S.O.G.（SPIN ON GLASS） 旋制氧化硅 旋制氧化硅（Spin on Glass）是利用旋制芯片，將含有硅化物之溶液均勻地平涂與芯片上，在利用加熱方式與溶劑驅離，并將固體硅化物硬化程穩定之非晶相氧化硅。其簡(jiǎn)單流程如下：旋轉平涂→加熱燒烤→高溫硬化（~450℃）旋制氧化硅是應用在組件制造中，金屬層間之平坦化（Planization）。以增加層與層之間的結合特性，避免空洞之形成及膜之剝裂。
166 S.O.J.(SMALL OUTLINE J-LEAD PACKAGE） 縮小型J形腳包裝IC 因外腳彎成“J”字形，且外伸長(cháng)度較一般I.C.為小兒得名。是記憶I.C.的普遍化包裝形態(tài)，為配合表面粘著(zhù)技術(shù)的高集積度要求而誕生。
167 SOLVENT 溶劑 1. 兩種物質(zhì)相互溶解成一種均勻的物質(zhì)時(shí)，較少的物質(zhì)被稱(chēng)為溶質(zhì)，較多的物質(zhì)被稱(chēng)為溶劑。例如：堂溶解于水中，變成糖水，則糖為溶質(zhì)，水為溶劑，緩和的結果稱(chēng)為溶液。2. 溶劑分有機溶劑與無(wú)機溶劑兩種： 2-1有機溶劑：分子內含有碳原子的稱(chēng)為有機溶劑，例如丙酮 （CH3COCH3）、IPA（CH3CHOHCH3）。2-2無(wú)機溶劑：分子內不含有碳原子的稱(chēng)為無(wú)機溶劑，例如硫酸（H2SO4），氫氟酸（HF）3. 在FIB內所通稱(chēng)的溶劑，一般是只有機溶液而言。
168 SPECIFICATION（SPEC） 規范 規范是公司標準化最重要的項目之一，它規定了與生產(chǎn)有關(guān)事項的一切細節，包括機臺操作、潔凈室、設備、保養、材料、工具及配件、品管、可靠性、測試…等等。IC制造流程復雜。唯有把所有事項鉅細靡遺的規范清楚并確實(shí)遵照規范執行，檢討規范是否合理可行，相關(guān)規范是否有沖突，已達自主管理及全員參與標準化之目的。
169 SPICE PARAMETER SPIC參數 1. 定義：SPICE是一個(gè)分析非線(xiàn)性DC、非線(xiàn)性瞬間AC和線(xiàn)性AC行為的電路仿真程序。其由各種不同的半導體組件模式計算之，有DIODES、BJT’S、JFET’S、MOSFET’S等，利用此種模式計算仿真實(shí)際半導體電路的工作情形。而使用于這些模型上的計算參數統稱(chēng)「SPICE參數」。目前由于公司使用之模式為HSPICE Level 2，故一般常說(shuō)之SPICE參數，即指Design Rules所提供之HSPICE Level 2中MOSFET所用到的參數。
170 S.R.A（SPREADING RESISTENCE ANALYSIS） 展布電阻分析 在下列一些情況，可利用S.R.A.方法來(lái)得到其Resisitivity：(1) n on n+ layer, p on p+ layer(2) n on p layer, p on n layer(3) depth profiling(4) lateral profiling(5) very small areas在測量Resistivity的方式有很多，但若要降低校正，則一定要使用到Point-Contact Probe的展布電阻。
171 SPUTTERING 濺鍍 濺鍍乃是帶能量的離子撞擊物體，致使表面的原子飛散出來(lái)，附著(zhù)于基板上形成薄膜之現象。當所加電流為直流時(shí)，稱(chēng)為直流濺鍍（D.C SPUTTERING）：所加電流為射頻時(shí)，稱(chēng)為射頻賤鍍(RADIO FREQUENCY SPUTTERING）?；诮?jīng)濟及效率觀(guān)點(diǎn)，氬氣為最常使用之氣體。當氬氣被快速電子碰撞時(shí)產(chǎn)生氬離子，此時(shí)電子數目增加并且同時(shí)受電場(chǎng)再加速，以便再次進(jìn)行游離反應，如此不去如同雪崩（AVALANCHE）一樣產(chǎn)生輝光放電（GLOW DIS CHARGE），氬氣離子受陰極（靶材）吸引，加速碰撞靶材，將表面原子打出而吸附在基本上。由于濺鍍有薄膜厚度容易控制、組織均勻、表面相當平滑等優(yōu)點(diǎn)，因此被電子工業(yè)廣泛地使用。
172 SSER（SYSTEM SOFT ERROR RATE TEST） 系統暫時(shí)性失效比率測試 Soft Error為所有發(fā)揮性組件之共有特性。對DRAM而言，每記憶細胞（Memory Cell）所存電荷（charge-to-sense）存在一刻開(kāi)關(guān)的接面（junction），以空乏（depleted）的狀態(tài)存在。當該細胞有高能粒子源（e.g. α-particle From molding compound），使所存電荷消失或減少到無(wú)法偵測時(shí)，該細胞便暫時(shí)消失。
173 STEP COVERAGE 階梯覆蓋 STEP COVERAGE』系冷指芯片上各層次間各項薄膜、沉積材料等，當覆蓋、跨越過(guò)底下層次時(shí)，由于底下層次高低起伏不一及有線(xiàn)條粗細變化，會(huì )造成此薄膜、沉積材料在產(chǎn)品部分區域（如高低起伏交界處）覆蓋度會(huì )變差，此變差的程度，即為『STEP COVERAGE』一般系以厚度變化比表示： STEP COVERAGE =厚度最薄處/厚度 最厚處此比例越接近1越佳，反之越差，正常言均應達50﹪以上。
174 STEPPER 步進(jìn)式對準機 1. 定義：Stepper（步進(jìn)式對準機）系Stepprojection aligner 之簡(jiǎn)稱(chēng)。Stepper與Project aligner原理類(lèi)似，只是將每片芯片分為20~60次曝光完成。Stepper使用自動(dòng)對準，不但迅速、精確，且可使用計算機計算、補償。對準方式可分為Global、Die by Die、Advanced Global Alignment，此三種方式均可補償因芯片形變造成之對準不良（如Run in/Run out）。Stepper亦可按縮影比例，分為1X、5X、10X三種。以最常見(jiàn)之5X為例，光罩上一條5u之直線(xiàn)，曝在芯片上，僅1μ而已。
175 SURFACE STATES 表面狀態(tài) 1.定義：表面狀態(tài)是介在Si-SiO2接口的政電荷，也叫做Interface States。形成表面狀態(tài)的原因，是作氧化步驟時(shí)Si會(huì )從表面移去而與O2反應。當氧化停止時(shí)，有些離子Si會(huì )留在靠近接口處。這些為完全鍵結的Si離子會(huì )沿著(zhù)表面形成一條正電荷QSS。電荷大小決定于下列因素：氧化速度、后續熱處理步驟及Crystal Orientation。在｛111｝表面，良好的氧化步驟下，其表面狀態(tài)密度約為5
評論