微電子工藝專(zhuān)有名詞（2）

51 DRAM , SRAM 動(dòng)態(tài),靜態(tài)隨機存取內存 隨機存取記憶器可分動(dòng)態(tài)及靜態(tài)兩種，主要之差異在于動(dòng)態(tài)隨機存取內存（DRAM），在一段時(shí)間（一般是0.5ms～5ms）后，資料會(huì )消失，故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫(xiě)（refresh），此為其最大缺點(diǎn)，此外速度較慢也是其缺點(diǎn)，而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元（bit）指需一個(gè)Transistor（晶體管）加一個(gè)Capacitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫(xiě)、速度快之優(yōu)點(diǎn)，但是密度低，每一記憶單元（bit）有兩類(lèi)：A.需要六個(gè)Transistor（晶體管），B.四個(gè)Transistor（晶體管）加兩個(gè)Load resistor（負載電阻）。由于上述之優(yōu)缺點(diǎn)，DRAM一般皆用在PC（個(gè)人計算機）或其它不需高速且記憶容量大之記憶器，而SRAM則用于高速之中大型計算機或其它只需小記憶容量。如監視器（Monitor）、打印機（Printer）等外圍控制或工業(yè)控制上。
　　52 DRIVE IN 驅入 離子植入（ion implantation）雖然能較精確地選擇雜質(zhì)數量，但受限于離子能量，無(wú)法將雜質(zhì)打入芯片較深（um級）的區域，因此需借著(zhù)原子有從高濃度往低濃度擴散的性質(zhì)，在相當高的溫度去進(jìn)行，一方面將雜質(zhì)擴散道教深的區域，且使雜質(zhì)原子占據硅原子位置，產(chǎn)生所要的電性，另外也可將植入時(shí)產(chǎn)生的缺陷消除。此方法稱(chēng)之驅入。在驅入時(shí)，常通入一些氧氣，因為硅氧化時(shí)，會(huì )產(chǎn)生一些缺陷，如空洞（Vacancy），這些缺陷會(huì )有助于雜質(zhì)原子的擴散速度。另外，由于驅入世界原子的擴散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能從芯片逸出（out-diffusion），這是需要注意的地方。
　　53 E-BEAM LITHOGRAPHY 電子束微影技術(shù) 目前芯片制作中所使用之對準機，其曝光光源波長(cháng)約為（365nm～436nm），其可制作線(xiàn)寬約1μ之IC圖形。但當需制作更細之圖形時(shí)，則目前之對準機，受曝光光源波長(cháng)之限制，而無(wú)法達成，因此在次微米之微影技術(shù)中，及有用以電子數為曝光光源者，由于電子束波長(cháng)甚短（～0.1A），故可得甚佳之分辨率，作出更細之IC圖型，此種技術(shù)即稱(chēng)之電子束微影技術(shù)。電子束微影技術(shù)，目前已應用于光罩制作上，至于應用于光芯片制作中，則仍在發(fā)展中。
　　54 EFR（EARLY FAILURE RATE） 早期故障率 Early Failure Rate是產(chǎn)品可靠度指針，意謂IC到客戶(hù)手中使用其可能發(fā)生故障的機率。當DRAM生產(chǎn)測試流程中經(jīng)過(guò)BURN-IN高溫高壓測試后，體質(zhì)不佳的產(chǎn)品便被淘汰。為了確定好的產(chǎn)品其考靠度達到要求，所以從母批中取樣本做可靠度測試，試驗中對產(chǎn)品加高壓高溫，催使不耐久的產(chǎn)品故障，因而得知產(chǎn)品的可靠度。故障機率與產(chǎn)品生命周期之關(guān)系類(lèi)似浴缸，稱(chēng)為Bathtub Curve.
　　55 ELECTROMIGRATION 電子遷移 所謂電子遷移，乃指在電流作用下金屬的質(zhì)量會(huì )搬動(dòng)，此系電子的動(dòng)量傳給帶正電之金屬離子所造成的。當組件尺寸越縮小時(shí)，相對地電流密度則越來(lái)越大；當此大電流經(jīng)過(guò)集成電路中之薄金屬層時(shí)，某些地方之金屬離子會(huì )堆積起來(lái)，而某些地方則有金屬空缺情形，如此一來(lái)，堆積金屬會(huì )使鄰近之導體短路，而金屬空缺則會(huì )引起斷路。材料搬動(dòng)主要原動(dòng)力為晶界擴散。有些方法可增加鋁膜導體對電遷移之抗力，例如：與銅形成合金，沉積時(shí)加氧等方式。
　　56 ELECTRON/HOLE 電子/ 電洞 電子是構成原子的帶電粒子，帶有一單位的負電荷，環(huán)繞在原子核四周形成原子。墊洞是晶體中在原子核間的共享電子，因受熱干擾或雜質(zhì)原子取代，電子離開(kāi)原有的位置所遺留下來(lái)的“空缺”因缺少一個(gè)電子，無(wú)法維持電中性，可視為帶有一單位的正電荷。
　　57 ELLIPSOMETER 橢圓測厚儀 將已知波長(cháng)之射入光分成線(xiàn)性偏極或圓偏極，照射在待射芯片，利用所得之不同橢圓偏極光之強度訊號，以Fourier分析及Fresnel方程式，求得待測芯片模厚度
　　58 EM（ELECTRO MIGRATION TEST） 電子遷移可靠度測試 當電流經(jīng)過(guò)金屬導線(xiàn)，使金屬原子獲得能量，沿區塊邊界（GRAIN Bounderies）擴散（Diffusion），使金屬線(xiàn)產(chǎn)生空洞（Void），甚至斷裂，形成失效。其對可靠度評估可用電流密度線(xiàn)性模型求出：AF=【J（stress）/J（op）】n