英特爾推出增強版張力硅技術(shù) 性能提高30%

英特爾公司負責處理器架構和集成事務(wù)的主管馬克表示，英特爾公司將在其0.065微米工藝中集成許多變化。它已經(jīng)在用0.065微米工藝生產(chǎn)試驗性的SRAM芯片。

根據芯片設計者的目標，用0.065微米工藝生產(chǎn)的芯片能夠提高芯片的性能或降低能耗，或者能夠同時(shí)實(shí)現這兩個(gè)目標，但英特爾公司把重點(diǎn)放在了節能上。

與不使用張力硅技術(shù)的芯片相比，增強版張力硅能夠使芯片的性能提高30%，并能將泄露電流降低4倍。馬克說(shuō)，通過(guò)使用張力硅技術(shù)，英特爾公司至少保持了一代的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。采用增強版張力硅技術(shù)，能夠增強驅動(dòng)電流和減少電流泄露。張力硅技術(shù)也已經(jīng)開(kāi)始在IBM、AMD等公司的芯片中使用。

摩爾定律的核心是減小晶體管的體積和晶體管組件的數量。通常更小的晶體管速度更快，將能夠生產(chǎn)出更小、更廉價(jià)、更好和更節能的芯片。在試驗的SRAM芯片中，1000萬(wàn)個(gè)晶體管能夠集成在原子筆尖大小的面積上。芯片產(chǎn)業(yè)按照摩爾定律發(fā)展了30多年，芯片的集成度已經(jīng)大大提高了，這使芯片的設計和生產(chǎn)的難度進(jìn)一步提高。

氧化物柵極是0.065微米工藝芯片中的另一個(gè)改進(jìn)，在0.065微米工藝芯片中柵極的長(cháng)度更短，這將能夠提高晶體管的性能。通過(guò)保持厚度不變，電容將能夠降低20%，從而減少了可能發(fā)生的電流泄露。

0.065微米工藝芯片中還將包含能夠切斷其它晶體管電源的睡眠晶體管。盡管馬克對這些晶體管的節能效果無(wú)法準確地進(jìn)行量化，但它可能有效地節省相當多的能耗和減少泄露電流。他說(shuō)，這個(gè)技術(shù)具有顯而易見(jiàn)的降低電流泄露的作用。

在英特爾公司的0.065微米工藝芯片中不包含絕緣硅（SOI）技術(shù)。一種名為“超薄SOI”的技術(shù)英特爾公司曾經(jīng)做過(guò)試驗，但它認為，“超薄SOI”的節能效果將由使用三柵極晶體管來(lái)完成。