三星新快閃存儲器技術(shù) 提升手機儲存容量

　　三星宣布將以旗下第三代V-NAND技術(shù)打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，藉此讓手機儲存元件、PC用SSD容量可大幅提升。同時(shí)，藉由新技術(shù)投入將可提升約40%產(chǎn)能，并且將能以此提供價(jià)格更具實(shí)惠的快閃記憶體模組，預計最快在今年下半年間至明年初即可應用在實(shí)際市售產(chǎn)品。

　　根據三星公布消息，確定將在今年下半年內投入第三代V-NAND技術(shù)，藉此打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，進(jìn)而提升手機儲存元件與PC用SSD相同體積的資料存放容量，其中后者將能加速全面邁入TB等級規格，同時(shí)于預期手機基本儲存容量也能進(jìn)一步提升。

　　以新技術(shù)打造的48層、3-bit MLC 256Gb V-NAND快閃記憶體，將可在儲存相同資料量時(shí)節省約30%耗電，同時(shí)相比先前32層、3-bit MLC 128Gb V-NAND快閃記憶體規格，約可提升40%產(chǎn)能表現，預期將可進(jìn)一步降低快閃記憶體市場(chǎng)售價(jià)，并且讓SSD產(chǎn)品價(jià)格更趨于親民化，預期也將可讓入門(mén)款智慧手機儲存容量擴大。