第二季DRAM位元產(chǎn)出量增、產(chǎn)值衰退

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場(chǎng)在 2015年第二季受到合約均價(jià)大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續增加，總產(chǎn)值仍呈現4.8%的季衰退，來(lái)到114億美元。

　　在淡季影響下，各DRAM廠(chǎng)第二季營(yíng)收都呈現衰退走勢，然而由于制程持續轉進(jìn)，毛利并未大幅縮減，三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的DRAM產(chǎn)品別營(yíng)業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗將會(huì )落在未來(lái)的幾季;在需求端如筆電與智慧型手機領(lǐng)域持續疲弱，但供給端來(lái)自20nm/21nm的比例將持續提升，DRAMeXchange預期未來(lái)DRAM價(jià)格的跌幅恐怕持續。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，三星與SK海力士在全球第二季DRAM廠(chǎng)自有品牌記憶體市占率各為45.1%以及27.7%，穩定盤(pán)據全球超過(guò)七成的供給比例。美光半導體約為20.6%，主要衰退除了來(lái)自于跌價(jià)損失外，位元供給未現成長(cháng)也是原因之一。

　　第二季DRAM廠(chǎng)商營(yíng)收排行

　　從技術(shù)面觀(guān)察，DRAMeXchange認為三星的最新制程20nm表現令人驚艷，不僅導入順利、良率穩定，時(shí)程更是大幅領(lǐng)先其競爭對手約半年到一年，持續展現其領(lǐng)導廠(chǎng)商的制程優(yōu)勢。目前三星的20nm較大幅度集中在標準型記憶體以及伺服器記憶體，但很快就會(huì )普及到所有的產(chǎn)品類(lèi)別，在現今跌價(jià)的市場(chǎng)中持續帶來(lái)成本優(yōu)化的優(yōu)勢。

　　SK海力士最新制程21nm尚處于最初期的試產(chǎn)階段，已經(jīng)遞延到第三季底才送交驗證的樣品，真正大量生產(chǎn)的時(shí)序會(huì )跟美光的20nm相當接近，落在明年的第一季。而美光集團方面，制程微縮與上季相較未顯突破，仍維持在30nm，使得成本壓力相較于兩家韓商高出許多。

　　在臺系廠(chǎng)商部分，南亞科目前在30nm微縮制程轉進(jìn)速度順利，預計產(chǎn)出年末將來(lái)到60%，營(yíng)收方面小幅下滑5.1%，20nm制程預計明年下半年新工廠(chǎng)完工后導入量產(chǎn)行列。華亞科由于產(chǎn)品組合多以近期下跌幅度最劇烈的標準型記憶體與伺服器用記憶體為主，加上30nm制程落后于韓系廠(chǎng)商，毛利率從上季的47.2%大幅下修至第二季的34.9%。

　　力晶由于標準型記憶體生產(chǎn)多屬代工性質(zhì)，營(yíng)收較第一季維持一樣衰退，25nm制程方面現已進(jìn)入試產(chǎn)階段，如順利最快明年初可以導入量產(chǎn)。華邦雖無(wú)標準型記憶體產(chǎn)品產(chǎn)出，但大容量利基型記憶體市場(chǎng)也陷入殺價(jià)競爭的困境，營(yíng)收衰退8.5%左右，獲利也小幅下滑至11.2%。

　　第二季各區域市場(chǎng)DRAM營(yíng)收占有率