PC衰退沖擊存儲器供應商業(yè)績(jì)

　　PC產(chǎn)業(yè)衰退以及市場(chǎng)對DRAM的需求趨緩，讓海力士(SK Hynix)的 2015年第二季業(yè)績(jì)受到影響，當季凈營(yíng)收為9.6億美元，低于分析師預期;而在海力士最新財報公布之前不久，美光(Micron)也才公布了其第三季財報，并降低了第四季的財報預測。

　　在此同時(shí)，市場(chǎng)研究機構Gartner將對 2015年整體半導體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收成長(cháng)率的預測砍半，來(lái)到2.2%;其理由是包括PC在內的電子裝置市場(chǎng)疲軟不振。而蘋(píng)果(Apple)最新財報則顯示，其最新一季iPad銷(xiāo)售量低于去年同期。

　　Gartner的最新預測指出，半導體產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額將因為PC與智慧型手機需求衰弱，而呈現為期兩年的低潮，得等到2017至2019年才能恢復典型的4~5%年成長(cháng)率(參考閱讀。

　　隨著(zhù)PC用DRAM市場(chǎng)低迷，SK Hynix表示該公司將更專(zhuān)注于高性能記憶體，擴充行動(dòng)裝置應用的DDR4、LPDDR4與NAND快閃記憶體，以及固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)能，此外還有10奈米TLC (triple level cell)架構NAND快閃記憶體，以及第二代的3D記憶體產(chǎn)品。

　　市場(chǎng)研究機構Technavio 最近一篇報告預測，全球行動(dòng)記憶體市場(chǎng)預期在 2015年至2019年之間，可取得15%的復合平均年成長(cháng)率(CAGR);該機構表示，與2D NAND相較，行動(dòng)記憶體由于儲存容量增加，預期在市場(chǎng)上會(huì )獲得更多采用。

　　Technavio將SK Hynix視為行動(dòng)NAND快閃記憶體的關(guān)鍵供應商，其他供應商還有金士頓(Kingston)、三星(Samsung)、SanDisk、東芝(Toshiba)與美光。SK Hynix已經(jīng)開(kāi)發(fā)了高頻寬記憶體(high bandwidth memory，HBM)，以解決DDR4 SDRAM以及某種程度上DDR5的頻寬限制;該技術(shù)涉及四層DRAM與邏輯晶片，以矽穿孔(TSV)與微凸塊制作晶片互連。

　　SK Hynix的高頻寬記憶體堆疊四層晶片

　　對于獲利減少，美光也歸因于PC的衰退，而且如同SK Hynix，該公司對行動(dòng)記憶體與NAND快閃記憶體前景樂(lè )觀(guān)。而雖然DRAM市場(chǎng)萎縮對SK Hynix以及美光都產(chǎn)生負面影響，SRAM市場(chǎng)的衰退卻未對Cypress Semiconductor的營(yíng)收帶來(lái)沖擊。

　　Cypress最近雖然求購Integrated Silicon Solution失敗，該公司的 2015年第二季業(yè)績(jì)表現亮眼，而且當季是其合并Spansion業(yè)績(jì)的完整一季;Cypress第二季營(yíng)收為4.91億美元，該公司表示當季毛利率達到41%高標，與預期相符。

　　在第二季，Cypress擴充了Spansion設計的NOR HyperFlash系列產(chǎn)品，新增256Mb記憶體，以及新推出一款3-V HyperFlash元件，支援高頻寬、低腳數的HyperBus介面。

　　此外Cypress還發(fā)表了4Mb串列式鐵電記憶體(FRAM)，鎖定經(jīng)常連續高速讀寫(xiě)資料以及對高資料安全性有需求的應用，包括醫療、工業(yè)與汽車(chē)等領(lǐng)域。Cypress也推出訴求高密度的同步SRAM，配備晶片上糾錯碼(Error-Correcting Code，ECC)，并將繼續擴充該系列產(chǎn)品。