2015年三星半導體資本支出規劃

　　DIGITIMES Research觀(guān)察2015年兩大韓國半導體業(yè)者資本支出規劃，三星電子(Samsung Electronics)將創(chuàng )新高紀錄，達150億美元水平，SK海力士(SK Hynix)則將與2014年持平，維持在51億美元。2015年三星半導體事業(yè)資本支出將連續6年居全球之冠，其中，含晶圓代工在內的系統IC資本支出 將自2014年29億美元增加至近40億美元，除啟用韓國華城廠(chǎng)第17產(chǎn)線(xiàn)外，2015年將持續在美國奧斯丁等廠(chǎng)房建構14納米先進(jìn)制程產(chǎn)能，以和臺積電 及英特爾(Intel)展開(kāi)16/14納米以下先進(jìn)微縮制程競賽。

　　2015年三星與SK海力士于DRAM皆有擴產(chǎn)計畫(huà)，其DRAM資本支出分別將 為64億美元與38億美元，三星主要用于擴充韓國華城廠(chǎng)第17產(chǎn)線(xiàn)DRAM產(chǎn)能，SK海力士則將重點(diǎn)放在2015年下半啟用韓國京畿道利川市M14新產(chǎn) 線(xiàn)，將量產(chǎn)20納米級DRAM。2015年兩家韓廠(chǎng)合計資本支出占全球DRAM廠(chǎng)總資本支出比重達75%。

　　在NAND Flash資本支出方面，2015年三星規劃47億美元，主要用于建構大陸地區西安廠(chǎng)3D NAND Flash產(chǎn)能，其于3D NAND Flash進(jìn)展較美光(Micron)、東芝(Toshiba)等業(yè)者快。SK海力士NAND Flash資本支出為13億美元，主要用于10納米級TLC(Triple Level Cell) NAND Flash研發(fā)與產(chǎn)能布建，2015年兩家韓廠(chǎng)合計資本支出占全球NAND Flash廠(chǎng)總資本支出比重為64%。

　　三星目前在韓國，以京 畿道器興廠(chǎng)與華城廠(chǎng)為其主要生產(chǎn)據點(diǎn)，2015年三星將在京畿道平澤市興建半導體園區，其規劃投資金額將達到15.6兆韓元(約153億美元)，三星計劃 2017年下半啟用平澤半導體園區，將涵蓋存儲器與系統IC產(chǎn)線(xiàn)，由于SK海力士也將啟用利川廠(chǎng)M14產(chǎn)線(xiàn)，將使得京畿道于三星與SK海力士的半導體生產(chǎn) 上扮演更重要的地位。