日本欲借節能半導體奪回主導權

　　日本東北大學(xué)國際集成電子研究開(kāi)發(fā)中心(CIES：Center for Innovative Integrated Electronic Systems)于2015年3月19～20日在東京召開(kāi)了第一屆成果報告會(huì )“1st CIES Technology Forum”。此次會(huì )議為期兩天，共有近500人參加。雖然是大學(xué)主辦的會(huì )議，但據介紹，來(lái)自產(chǎn)業(yè)界的聽(tīng)眾比學(xué)術(shù)界的還要多。

　　CIES設立于2012年10月，座落在日本東北大學(xué)青葉山新校區內，是研究自旋電子等電力電子技術(shù)的研發(fā)基地。2013年4月竣工的研究樓里配備了支持300mm晶圓的工藝生產(chǎn)線(xiàn)及測評分析設備。在新一代半導體技術(shù)方面擁有如此完善的開(kāi)發(fā)環(huán)境的大學(xué)研究基地在全球也是很少見(jiàn)的。

　　CIES聘請了很多在產(chǎn)業(yè)界擁有豐富經(jīng)驗的技術(shù)人員來(lái)?yè)窝芯咳藛T和教師，所長(cháng)遠藤哲郎就是原東芝的存儲器技術(shù)人員。該研發(fā)中心還積極與產(chǎn)業(yè)界合作，正在與東電電子等進(jìn)行聯(lián)合研究。通過(guò)這些努力，CIES最近實(shí)現了STT-MRAM(自旋注入磁化反轉型MRAM)用測量系統的產(chǎn)品化。該中心的聯(lián)合研究合作伙伴之一——知名半導體測量裝置企業(yè)是德科技日本公司已于2015年3月17日宣布，將于2016年初推出該系統。

　　將材料與元器件方面的技術(shù)經(jīng)驗應用于300mm晶圓

　　此次的會(huì )議是CIES的首場(chǎng)成果報告會(huì )。第一天的會(huì )議內容具有濃厚的國際論壇色彩，英特爾及高通等公司紛紛登臺，以STT-MRAM為主題發(fā)表了演講。第二天則是對CIES的7個(gè)研究項目(Consortium Programme)進(jìn)行了進(jìn)度報告等。

　　在會(huì )議首日的主題演講上登臺的其中一位是作為日本半導體自旋電子領(lǐng)域“第一人”而為人所知的CIES研究成員、日本東北大學(xué)電氣通信研究所教授大野英男，他演講的題目是“Spintronics Devices for Integrated Circuits-An Overview-”。他圍繞自旋電子基本元件——磁性隧道結(MTJ)元件，介紹了旨在實(shí)現高穩定性垂直磁化的材料和元器件技術(shù)。

　　大野教授是日本東北大學(xué)節能自旋電子學(xué)集成化中心(CSIS：Center for Spintronics Integrated Systems)的核心研究人員。他介紹說(shuō)，CSIS此前一直在進(jìn)行3英寸(75mm)晶圓方面的研究，“今后打算把我們已獲得的材料技術(shù)等經(jīng)驗，應用到支持300mm晶圓、而且與產(chǎn)業(yè)界親和性較高的CIES里”。