南亞科、東芝結盟案傳破局　三星陣營(yíng)松口氣

　　存儲器產(chǎn)業(yè)掀起策略聯(lián)盟風(fēng)潮，僅有NAND Flash產(chǎn)品線(xiàn)的東芝(Toshiba)一直尋找DRAM策略聯(lián)盟伙伴，其與臺廠(chǎng)南亞科洽談合作案逾1季，近期傳出破局，南亞科將回頭向母公司臺塑集團尋求財務(wù)支援，希望能獲得資金轉進(jìn)20納米制程技術(shù)，臺塑則看好DRAM市場(chǎng)，傳將支援南亞科將部分12吋晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能轉進(jìn)至20納米制程。

　　全球DRAM大廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)都手握DRAM和NAND Flash兩大關(guān)鍵零組件產(chǎn)品線(xiàn)，全球存儲器大廠(chǎng)只有東芝產(chǎn)品線(xiàn)略顯單薄，僅握有NAND Flash芯片產(chǎn)品線(xiàn)，遂自2014年下半起與南亞科洽談策略聯(lián)盟案，希望能結合南亞科旗下DRAM技術(shù)發(fā)展多芯片封裝(MCP)產(chǎn)品。

　　不過(guò)，由于南亞科旗下12吋廠(chǎng)6萬(wàn)片產(chǎn)能若全數轉進(jìn)20納米制程技術(shù)，至少需投資新臺幣500億~600億元，業(yè)界傳出南亞科向東芝提出10億美元的策略聯(lián)盟入股計劃，但東芝認為投資額太大，加上配套條件談不攏，使得策略聯(lián)盟計劃破局。

　　半導體業(yè)者表示，DRAM和NAND Flash產(chǎn)品應用及景氣循環(huán)步調不同，擁有雙產(chǎn)品線(xiàn)比較可以避開(kāi)單一產(chǎn)品景氣波動(dòng)，并可發(fā)揮相互加乘效應，進(jìn)軍更大應用市場(chǎng)，目前東芝在NAND Flash市場(chǎng)實(shí)力深厚，東芝與南亞科策略聯(lián)盟傳出破局，對于三星陣營(yíng)而言可說(shuō)是松了一口氣。

　　半導體業(yè)者透露，東芝作風(fēng)一向保守，當初南亞科提出與東芝策略聯(lián)盟計劃時(shí)，業(yè)界即保守估計此案成局機率僅5成。不過(guò)，南亞科若能與東芝策略聯(lián)盟，不僅可讓雙方DRAM、NAND Flash及MCP芯片等產(chǎn)品線(xiàn)互補及拉長(cháng)戰線(xiàn)，未來(lái)可能擴大至新世代存儲器MRAM芯片合作。

　　南亞科過(guò)去曾與美光合作開(kāi)發(fā)20納米制程技術(shù)，后來(lái)南亞科因為營(yíng)運轉型而放棄研發(fā)，但美光仍讓南亞科保留技術(shù)授權機會(huì )，然有時(shí)間限制，目前南亞科仍希望能轉進(jìn)20納米制程，可能轉而向臺塑集團尋求資金奧援，或是另尋其他合作伙伴，分散臺塑的投資風(fēng)險。

　　根據南亞科規劃，目前12吋廠(chǎng)礙于資金限制，僅部分產(chǎn)能將轉進(jìn)到20納米制程，由于其他陣營(yíng)存儲器大廠(chǎng)包括三星、海力士都已轉進(jìn)20納米制程，2015年將陸續量產(chǎn)，恐帶給DRAM市場(chǎng)不小的價(jià)格壓力。

　　至于NAND Flash產(chǎn)業(yè)正進(jìn)入1x納米制程世代，目前TLC型NAND Flash芯片已成為業(yè)界主流，包括三星、東芝等大廠(chǎng)都積極將TLC芯片導入固態(tài)硬碟(SSD)應用，使得SSD及智能型手機躍居NAND Flash芯片最主要應用領(lǐng)域。