臺積電InFO封測延后一年 搭配16納米奪蘋(píng)果大單

　　臺積電內部全力醞釀在16納米制程搶回蘋(píng)果(Apple)處理器芯片訂單，決定將規劃許久的InFO(Integrated Fan-out)封測計劃全面延后一年上線(xiàn)，寄望2016年搭配16納米制程，全面拿回蘋(píng)果下世代A10處理器芯片訂單。然部分IC設計客戶(hù)認為，InFO成本仍過(guò)高，恐難與傳統芯片尺寸覆晶封裝(FC CSP)技術(shù)匹敵，力促臺積電再度端出Cost-down版本，避免市場(chǎng)叫好不叫座。不過(guò)，相關(guān)消息仍有待臺積電進(jìn)一步證實(shí)。

　　臺積電封測計劃原本布局3D IC技術(shù)，先嘗試推出2.5D封測技術(shù)CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)試水溫，然礙于成本過(guò)高，僅獲得賽靈思(Xilinx)采用，臺積電遂決定推出低價(jià)版本的InFO封測技術(shù)，希望提升客戶(hù)導入意愿，根據臺積電原本規劃，InFO技術(shù)將在2015年量產(chǎn)，業(yè)界預期會(huì )從20納米制程開(kāi)始導入。

　　不過(guò)，近期業(yè)界傳出臺積電為了能一出手即命中關(guān)鍵客戶(hù)蘋(píng)果，決定讓InFO技術(shù)量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)延后到2016年，緊密配合16納米FinFET制程放量時(shí)程，希望能一舉痛擊三星電子(Samsung Electronics)，拿回蘋(píng)果2016年新款處理器芯片大單，并讓InFO技術(shù)策略一戰成名。

　　盡管臺積電20納米制程順利拿下蘋(píng)果A8處理器芯片訂單，但蘋(píng)果A9處理器芯片訂單卻再度讓三星搶回一大塊，臺積電對于2016年透過(guò)16納米FinFET制程及InFO技術(shù)爭取A10處理器芯片訂單寄予厚望。

　　目前臺積電第一代InFO技術(shù)產(chǎn)品已通過(guò)認證，鎖定16納米FinFET制程，全力鞏固大客戶(hù)訂單，后續InFO技術(shù)將以10納米制程為目標，預計2017年之后量產(chǎn)。半導體業(yè)者認為，10納米制程將是臺積電關(guān)鍵戰役，現階段積極布局封測技術(shù)，將成為臺積電更上一層樓重要推手。

　　臺積電當初跨入封測市場(chǎng)，主要是考量封測技術(shù)已跟不上晶圓代工技術(shù)腳步，業(yè)界傳出臺積電早期爭取蘋(píng)果處理器芯片訂單時(shí)，就是敗在封測良率上。不過(guò)，部分IC設計客戶(hù)認為，InFO封測技術(shù)成本仍過(guò)高，且現階段良率偏低，至少成本結構必須能夠與FC CSP互別苗頭，才有機會(huì )提升InFO技術(shù)滲透率，業(yè)者紛希望臺積電能再端出Cost-down封測技術(shù)版本。

　　另外，面對臺積電大軍壓境封測領(lǐng)域，對于其他封測大廠(chǎng)形成相當大競爭壓力，矽品日前揭露Fan-out封裝技術(shù)進(jìn)度，2015年準備量產(chǎn)低階解決方案，未來(lái)目標鎖定高階技術(shù)的手機處理器芯片應用，同樣將在2016年全面加入戰局。