英特爾芯片開(kāi)發(fā)受阻 10nm要等到2017
半導體工藝進(jìn)入1xnm節點(diǎn)之后,各大巨頭都遭遇了嚴重的困難,尤其是Intel 14nm出現了前所未有的延遲,與計劃進(jìn)度嚴重脫節,至今只有寥寥兩個(gè)產(chǎn)品線(xiàn),今年下半年才會(huì )全面普及。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/268353.htm臺積電16nm原本寄予厚望,2015年初就要快速量產(chǎn),結果連續跳票,現在看最快也得年底了,甚至得2016年。
三星14nm相對還好一些,起步雖晚但是進(jìn)步很快,據說(shuō)良品率提高很快,又拉上Global Foundries做同盟,已經(jīng)贏(yíng)得了蘋(píng)果、高通的芳心。
如果按照原先的Tick-Tock發(fā)展模式,后續進(jìn)展順利的話(huà),Intel應該在2016年底推出10nm工藝新品,據說(shuō)代號為“Cannonlake”,取代這兩年的14nm Broadwell/Skylake,但情況極為不樂(lè )觀(guān)。
Intel CEO柯再奇近日也公開(kāi)談到了10nm,但他沒(méi)有給出好消息,而是說(shuō)他們還在繼續研究,尚未確立時(shí)間表。這就意味著(zhù)2016年底推進(jìn)到10nm的可能性已經(jīng)基本為零了。
而對于臺積電來(lái)說(shuō),日子也不好過(guò)。近來(lái)關(guān)于臺積電16nm Fin FET工藝進(jìn)展不順的風(fēng)言風(fēng)語(yǔ)很多,比如說(shuō)設備安裝推遲到下半年,大規模量產(chǎn)可能得等明年了,迫使高通、蘋(píng)果兩大客戶(hù)紛紛投靠三星14nm Fin FET。
在近日的投資者大會(huì )上,臺積電董事長(cháng)張忠謀也承認,2015年的Fin FET技術(shù)市場(chǎng)上,臺積電將會(huì )輸給三星,但在2017-2018年,臺積電將會(huì )實(shí)現反超。
他同時(shí)披露說(shuō),已經(jīng)有50多名客戶(hù)利用臺積電16nm Fin FET工藝完成了新品流片工作,大多數會(huì )在2015年第三季度投入量產(chǎn),新工藝也將在第四季度貢獻5-10%的收入。
這就等于承認,此前說(shuō)的2015年中量產(chǎn)已經(jīng)不可能,而從收入比例上看,所謂的第三季度量產(chǎn)也僅僅是個(gè)開(kāi)始,真正成熟最快也得今年底,和此前的推測基本相符。
臺積電甚至說(shuō)已經(jīng)有一位客戶(hù)開(kāi)始使用其16nmFinFET工藝生產(chǎn)芯片了,但具體是誰(shuí)不肯說(shuō),而大多數客戶(hù)都選擇等待更好的16nmFinFET+。

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