搶蘋(píng)果A9 臺積電推16nm FinFET+

　　據業(yè)內人士透露，臺積電(TSMC )可能改進(jìn)16nm代工業(yè)務(wù)，增加兩個(gè)更先進(jìn)的工藝，從而與英特爾和三星電子的14nm代工業(yè)務(wù)競爭。根據臺積電原本路線(xiàn)圖，16nm FinFET工藝有望在2014年底試生產(chǎn)，但是，現在臺積電決定在年底推出16nm FinFET +工藝，并且在2015年至2016年推出更先進(jìn)的16nm FinFET工藝。

　　消息人士表示，臺積電16FinFET +工藝預計將在2015年初進(jìn)入批量生產(chǎn)，并可能有助于臺積電贏(yíng)得蘋(píng)果A9處理器訂單。

　　根據摩根大通證券表示，因為芯片面積縮減，某些無(wú)晶圓廠(chǎng)的移動(dòng)客戶(hù)可直接采用16nm FinFET +工藝取代之前的20nm工藝。

　　消息人士指出，臺積電更先進(jìn)的16nm工藝被暫時(shí)命名為16nm FinFET Turbo。