LED芯片的制造工藝流程

LED芯片的制造工藝流程：

外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。

外延生長(cháng)的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長(cháng)出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長(cháng)技術(shù)主要采用有機金屬化學(xué)氣相沉積方法。

其實(shí)外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復雜的，在展完外延片后，下一步就開(kāi)始對led外延片做電極（P極，N極），接著(zhù)就開(kāi)始用激光機切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用鉆石刀），制造成芯片后，在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數測試，如圖所示：

1、主要對電壓、波長(cháng)、亮度進(jìn)行測試，能符合正常出貨標準參數的晶圓片再繼續做下一步的操作，如果這九點(diǎn)測試不符合相關(guān)要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。

2、晶圓切割成芯片后，100%的目檢（VI/VC），操作者要使用放大30倍數的顯微鏡下進(jìn)行目測。

3、接著(zhù)使用全自動(dòng)分類(lèi)機根據不同的電壓，波長(cháng)，亮度的預測參數對芯片進(jìn)行全自動(dòng)化挑選、測試和分類(lèi)。

4、最后對LED芯片進(jìn)行檢查（VC）和貼標簽。芯片區域要在藍膜的中心，藍膜上最多有5000粒芯片，但必須保證每張藍膜上芯片的數量不得少于1000粒，芯片類(lèi)型、批號、數量和光電測量統計數據記錄在標簽上，附在蠟光紙的背面。藍膜上的芯片將做最后的目檢測試與第一次目檢標準相同，確保芯片排列整齊和質(zhì)量合格。這樣就制成LED芯片（目前市場(chǎng)上統稱(chēng)方片）。

在LED芯片制作過(guò)程中，把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片，分撿出來(lái)，這些就是后面的散晶，此時(shí)在藍膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛片等。

剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數測試，對于不符合相關(guān)要求的晶圓片作另外處理，這些晶圓片是不能直接用來(lái)做LED方片，也就不做任何分檢了，直接賣(mài)給客戶(hù)了，也就是目前市場(chǎng)上的LED大圓片（但是大圓片里也有好東西，如方片）。