英特爾打破散熱瓶頸摩爾定律再活百年

 
　1月28日消息，據國外媒體報道，英特爾日前宣布，已經(jīng)解決了長(cháng)期困擾半導體行業(yè)的芯片散熱問(wèn)題。 

　　據美聯(lián)社報道，英特爾日前表示，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出新的材料來(lái)替代當前晶體管中的易發(fā)熱材料。與當前材料相比，新材料能夠降低電子泄露10倍以上，提升晶體管性能20%以上。

　　業(yè)內專(zhuān)家稱(chēng)，這將是自20世紀60年代以來(lái)晶體管技術(shù)史上的最大突破。該技術(shù)允許半導體廠(chǎng)商制造體積更小的電子產(chǎn)品。

　　近年來(lái)，盡管半導體公司仍在續寫(xiě)摩爾定律，但芯片散熱問(wèn)題已經(jīng)成為半導體廠(chǎng)商所撓頭的問(wèn)題。這主要是由于晶體管所采用的絕緣材料二氧化硅體積越來(lái)越小，電流數量增加導致發(fā)熱量過(guò)高。

　　半導體廠(chǎng)商在晶體管中使用二氧化硅的歷史已經(jīng)40多年。而英特爾的新技術(shù)就是利用新材料來(lái)取代二氧化硅，從而降低芯片發(fā)熱量。

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