內存芯片識別方法
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，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54
針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13
FBGA，FP=反轉芯片封裝，FQ=反轉芯片密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA
，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP
（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時(shí)間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標識
號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V
Vdd CMOS制造工藝，7ns、143MHz速度。
（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
三星EDO DRAM內存芯片編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內存；4代表
RAM種類(lèi)（4=DRAM）；16代表內存芯片組成x16（1=x1[以1的倍數為單位]、4=x4、
8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內存密度256Kbit（256
[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）
；D代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星
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