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高介電常數柵電介質(zhì)/金屬柵極的FA CMP技術(shù)

作者： 時(shí)間：2013-05-27 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò ) 收藏
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　　結論

　　良好的WID、WIW和WTW厚度控制是制造基于HKMG技術(shù)的高性能邏輯芯片的關(guān)鍵。ILD0化學(xué)機械研磨工藝利用FA對不同尺寸大小和密度的芯片結構均提供優(yōu)異的表面形貌和平坦度控制，并且通過(guò)使用FullVision實(shí)時(shí)終點(diǎn)控制系統進(jìn)一步確保穩定的WTW厚度控制。
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