先進(jìn)3D芯片堆疊的精細節距微凸點(diǎn)互連
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除了Cu/Sn微凸點(diǎn)(μbump)互連外，實(shí)現芯片與芯片互連的另一替代方法是基于銦(In)的精細節距焊料凸點(diǎn)。銦是非常軟的材料，熔點(diǎn)低(156℃)，但成本高，一般局限于高端成像傳感器一類(lèi)的特殊應用。
實(shí)驗
本文全部實(shí)驗均用5×5mm2 Imec封裝測試芯片進(jìn)行。圖1是晶圓上一些關(guān)鍵測試圖形的照片。這些芯片由氧化物介質(zhì)中的標準單大馬士革Cu互連層組成、用氧化物/氮化物層鈍化。用于微凸點(diǎn)互連的測試結構主要是菊花鏈觸點(diǎn)的周邊行。在一種測試芯片中，它們連接總計480個(gè)直徑25μm的微凸點(diǎn)連接點(diǎn)，節距為40μm。另一種測試芯片含有8200個(gè)直徑25μm的微凸點(diǎn)陣列，節距為50μm。微凸點(diǎn)形成工藝是用半加成電鍍技術(shù)。首先依次淀積Ti/Cu籽晶層和光刻膠層。然后進(jìn)行光刻確定用于微凸點(diǎn)的開(kāi)口區域。將光刻膠顯影后，再依次電鍍Cu和Sn，形成微凸點(diǎn)。最后，剝離光刻膠層，將Ti/Cu籽晶層刻蝕掉。
圖1所示測試芯片采用60μm周邊焊盤(pán)節距，并與TSV結合使用。實(shí)現這些TSV所用的工藝有詳細描述。加工TSV前，把晶圓厚度減至50μm。TSV直徑是25μm，深度為50μm。TSV Cu填充和微凸點(diǎn)形成在單一工藝中結合完成。Ti/Cu籽晶層在TSV刻蝕后淀積于深寬比為2的50μm TSV上。Cu填充前，應用10μm厚負光刻膠掩膜層，它允許同時(shí)形成Cu填充TSV和Cu/Sn凸點(diǎn)。用Cu填充TSV后，直接鍍一層3.5μm厚Sn層。光刻膠剝離后，用化學(xué)方法除去金屬籽晶層。
測試樣品的鍵合在SET FC-150倒裝芯片鍵合機上溫度為150-250℃時(shí)進(jìn)行。鍵合前應用不同的清洗劑(如助溶劑)。鍵合期間加壓(5MPa-150MPa)，鍵合時(shí)間3-20分鐘。
鍵合后，測量交織的菊花鏈的電阻和絕緣以檢查互連的電氣性能。有些樣品還送去做X截面SEM檢驗。
結果
微凸點(diǎn)由焊料凸點(diǎn)和上芯片上的UBM組成?？珊附饘佟巴裹c(diǎn)焊盤(pán)”(此例中為Cu)置于下面的襯底上。焊料微凸點(diǎn)的使用也是選項，但本實(shí)驗未使用。焊料與UBM/可焊金屬的反應結果形成金屬間化合物，因此上下芯片就連接。本研究中，UBM是Cu或Cu/Ni雙金屬層，而焊料凸點(diǎn)或包含純Sn，或包含SnAg。圖2是φ25μm微凸點(diǎn)的光學(xué)干涉測量剖面，在Cu/Ni UBM上形成了SnAg焊料凸點(diǎn)。
由于Sn和Cu的吉布斯(Gibbs)自由能低，二者均易被氧化。實(shí)際上發(fā)現，去除氧化物對確保SSD鍵合的金屬間化合物形成至關(guān)重要。一些商用清洗劑(如助溶劑)和稀有機酸在倒裝芯片鍵合過(guò)程中清洗Cu和Sn。助溶作用也可以用所謂非流動(dòng)底層填充料(NUF)提供。優(yōu)點(diǎn)是可與封裝裝配工藝同時(shí)進(jìn)行底層填充工藝。但它們均不能在很低溫度下有效去除氧化物。這使我們的SSD鍵合溫度不能低于150℃。實(shí)際上，不同清洗劑的結合給出了150℃時(shí)的最佳鍵合結果。去除氧化物對于TLP鍵合的重要性不大，此時(shí)液態(tài)Sn能潤濕Cu UBM形成金屬間化物。
與SSD鍵合不同，應用于TLP鍵合的壓力要小得多，2.5-10MPa對電良率不產(chǎn)生什么差異。
考慮工藝簡(jiǎn)易和連接界面質(zhì)量之間的最佳折中，以NUF鍵合為基礎工藝。這消除了毛細管底層填充的需求。進(jìn)而通過(guò)采用初始高度并行的芯片至晶圓的取放、隨后集中鍵合芯片的方法增加工藝產(chǎn)出。該方法已被證明能用于全200mm晶圓級(圖3)。對于TLP和固態(tài)擴散鍵合方法，40/15μm節距/間距周邊陣列芯片，獲得了90%以上的器件良率。
對TLP和SSD鍵合時(shí)空洞的形成也作了研究。除了由于夾帶清洗劑殘留物形成空洞外，還在Cu3Sn相中觀(guān)察到名為柯肯達爾(Kirkendall)空洞的較小亞微米空洞，Cu3Sn相在Cu-Sn鍵合后形成。為了研究制備方法對空洞形成的影響，對不同Cu/Sn/Cu三明治結構做了老化實(shí)驗。發(fā)現空洞最初位于Cu和Sn界面處，但隨老化的進(jìn)展，更多空洞逐步漂離這一表面。在金屬間化物連接中心也能觀(guān)察到大量空洞。Cu/Sn/Cu表面薄膜中也發(fā)現柯肯達爾(Kirkendall)空洞，這里三明治薄膜是順次電淀積形成。不過(guò)，將微凸點(diǎn)樣品與表面薄膜堆疊(此堆疊持續老化到全都轉換成Cu3Sn相為止)比較時(shí)，觀(guān)察到在Cu-金屬間化物界面處和在連接中心內的空洞形成密度的不同(圖4)。因為Cu/Sn/Cu表面薄膜是用同一電鍍化學(xué)過(guò)程淀積的，不過(guò)沒(méi)有附加還原劑，這些還原劑污染物會(huì )增加空洞成核和生長(cháng)。
最后，我們說(shuō)明基于CuSn金屬間化物微凸點(diǎn)在用后通孔方法形成的堆疊芯片中的應用。節距為60μm周邊陣列TSV的3D晶圓級封裝(3D-WLP)TSV器件堆疊在匹配的Si襯底上(圖5)。這些器件有菊花鏈連接，以監控TSV+微凸點(diǎn)連接的電學(xué)連續性。觀(guān)察到Cu-Sn堆疊工藝具有高良率。
結論
用精細節距Cu/Sn微凸點(diǎn)實(shí)現薄芯片堆疊。瞬時(shí)液相鍵合和固態(tài)擴散鍵合二者均有高電學(xué)良率。
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