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用于扇出型晶圓級封裝的銅電沉積

- 隨著(zhù)集成電路設計師將更復雜的功能嵌入更狹小的空間,異構集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟的方式。作為異構集成平臺之一,高密度扇出型晶圓級封裝技術(shù)正獲得越來(lái)越多的認可。此種封裝解決方案的主要優(yōu)勢在于其封裝的基片更少,熱阻更低,電氣性能也更優(yōu)秀。這是一個(gè)體現“超越摩爾定律”的例子,即使用 “摩爾定律”以外的技術(shù)也能實(shí)現更高的集成度和經(jīng)濟效益。圖1. 2.5D封裝中的中介層結構異構集成技術(shù)高密度扇出型封裝技術(shù)滿(mǎn)足了移動(dòng)手機封裝的外形尺寸與性能要求,因此獲得了技術(shù)界的廣泛關(guān)注。
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