SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E

2024年9月26日，SK海力士宣布，公司全球率先開(kāi)始量產(chǎn)12層HBM3E新品，實(shí)現了現有HBM*產(chǎn)品中最大**的36GB（千兆字節）容量。

公司將在年內向客戶(hù)提供產(chǎn)品，繼今年3月全球率先向客戶(hù)供應8層HBM3E后，僅時(shí)隔6個(gè)月再次展現出其壓倒性的技術(shù)實(shí)力。

SK海力士強調:“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E)，  公司是唯一一家開(kāi)發(fā)并向市場(chǎng)供應全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)。公司業(yè)界率先成功量產(chǎn)12層堆疊產(chǎn)品，不僅滿(mǎn)足了人工智能企業(yè)日益發(fā)展的需求，同時(shí)也進(jìn)一步鞏固了SK海力士在面向AI的存儲器市場(chǎng)的領(lǐng)導者地位?！?/p>

公司又表示，12層HBM3E在面向AI的存儲器所需要的速度、容量、穩定性等所有方面都已達到全球最高水平。

SK海力士將此新產(chǎn)品的運行速度提高至現有內存的最高速度9.6Gbps，其是在以搭載四個(gè)HBM的單個(gè)GPU運行大型語(yǔ)言模型（LLM）‘Llama 3 70B*’時(shí)，每秒可讀取35次700億個(gè)整體參數的水平。

公司還堆疊12顆3GB DRAM芯片，實(shí)現與現有的8層產(chǎn)品相同的厚度，同時(shí)容量提升50%。為此，公司將單個(gè)DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技術(shù)*（TSV）技術(shù)垂直堆疊。

此外，SK海力士也解決了在將變薄的芯片堆疊至更高時(shí)產(chǎn)生的結構性問(wèn)題。公司將其核心技術(shù)先進(jìn)MR-MUF**工藝應用到此次產(chǎn)品中，放熱性能較上前一代提升了10%，并增強了控制翹曲問(wèn)題，從而確保了穩定性和可靠性。

SK海力士AI Infra擔當金柱善社長(cháng)表示：“我們再次突破了技術(shù)壁壘，證明了我們在面向AI的存儲器市場(chǎng)中獨一無(wú)二的主導地位。為了迎接AI時(shí)代的挑戰，我們將穩步準備下一代存儲器產(chǎn)品，以鞏固‘全球頂級面向AI的存儲器供應商’的地位?！?/p>

*高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory): 一種高附加值、高性能存儲器。與現有的DRAM產(chǎn)品相比，通過(guò)垂直互聯(lián)多個(gè)DRAM芯片，使數據處理速度顯著(zhù)提高。該產(chǎn)品按照HBM第1代（HBM）-第2代（HBM2）-第3代（HBM2E）-第4代（HBM3）-第5代（HBM3E）的順序開(kāi)發(fā)，HBM3E是HBM3的擴展版

**現有的HBM3E最大容量為24GB，由8顆3GB DRAM芯片垂直堆疊而成

*Llama 3：Meta于2024年4月推出的開(kāi)源大型語(yǔ)言模型，其提供8B（十億）、70B、400B的三種規模

*硅通孔技術(shù)（TSV，Through Silicon Via）：一種在DRAM芯片上打數千個(gè)微孔使其垂直互連至電極的先進(jìn)封裝（Advanced Packaging）技術(shù)。

**批量回流底部模制填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）： 在堆疊半導體芯片后，為了保護芯片間的電路，在其中填充液體保護材料，使其固化。有評價(jià)稱(chēng)，與每堆一個(gè)芯片就鋪設薄膜型材料的方式相比，該技術(shù)提高了效率和散熱效果。特別是SK海力士的先進(jìn)MR-MUF技術(shù)，較現有技術(shù)減少了芯片堆疊時(shí)所施加的壓力，提高了芯片的翹曲控制力(Warpage Control)，這是確保HBM穩定量產(chǎn)的關(guān)鍵。