英特爾辟謠暫停馬來(lái)西亞新芯片封裝和測試項目

近日行業(yè)內有消息稱(chēng)，英特爾已暫停部分其在馬來(lái)西亞檳城的新芯片封裝和測試項目，該項目是三年前宣布的70億美元（約合人民幣500億元）投資的一部分。

對此，英特爾發(fā)言人近日正式回應表示，其在馬來(lái)西亞擴展業(yè)務(wù)未有任何變化，即該項目照常推進(jìn)中。

官方資料顯示，英特爾于2021年宣布建設檳城新項目，承諾在10年內投資70億美元。當時(shí)報道稱(chēng)，這項投資將在該國創(chuàng )造4000多個(gè)英特爾工作崗位以及5000多個(gè)建筑工作崗位。據悉，英特爾擴建檳城業(yè)務(wù)的目的是將其打造成美國境外首個(gè)先進(jìn)3D芯片封裝工廠(chǎng)，將聚焦最先進(jìn)的3D IC封裝Foveros，預計會(huì )在2024或2025年啟用。

公開(kāi)資料顯示，英特爾的兩大主要專(zhuān)業(yè)封裝技術(shù)是EMIB和Foveros。其中，Foveros是一個(gè)希臘語(yǔ)單詞，意為“獨特的，特殊的”。該技術(shù)是英特爾發(fā)明的一種高性能三維集成電路（3D IC）面對面堆疊封裝技術(shù)，于2019年面世。

今年1月，英特爾宣布3D Foveros先進(jìn)封裝技術(shù)已在美國新墨西哥州Fab 9開(kāi)始大規模生產(chǎn)。從英特爾先進(jìn)封裝布局情況來(lái)看，該公司除了在美國奧勒岡州有相關(guān)研發(fā)與產(chǎn)能之外，包括新墨西哥州及上述提及的馬來(lái)西亞檳城新廠(chǎng)，3個(gè)據點(diǎn)的3D先進(jìn)封裝產(chǎn)能相加，將于2025年時(shí)增加四倍，不過(guò)未透露廠(chǎng)區的產(chǎn)能。

Foveros技術(shù)旨在將兩個(gè)或多個(gè)芯片組裝在一起，進(jìn)行橫向和縱向之間的互連，進(jìn)一步降低凸點(diǎn)間距。但實(shí)際上，Foveros的邏輯芯片3D堆疊并不是一種芯片，而是邏輯晶圓3D堆疊技術(shù)，也就是把chiplet/die面對面疊起來(lái)。該技術(shù)通過(guò)巧妙的設計，可以通過(guò)將存儲堆疊在活動(dòng)組件之上來(lái)顯著(zhù)改善某些組件的延遲和帶寬。產(chǎn)品可以分成更小的小芯片 (chiplet) 或塊 (tile)，其中 I/O、SRAM和電源傳輸電路在基礎芯片中制造，高性能邏輯小芯片或塊堆疊在頂部。

圖片來(lái)源：英特爾

Foveros在芯片內實(shí)現極低功耗和高密度的芯片間連接，最小化了分區的開(kāi)銷(xiāo)，能夠為每個(gè)區塊選擇理性的芯片工藝，并保障了成本和性能提升，簡(jiǎn)化了SKU（庫存量單元）的創(chuàng )建，更容易定制且更快速地上市。不同的技術(shù)版本包含Foveros Omni、Foveros Direct。

英特爾第一代Foveros是采用10nm工藝推出，功耗極低，為每比特0.15皮焦耳，帶寬是同類(lèi)2.5D Si中介層的2-3倍，功率可從3W擴展到1千瓦，當時(shí)凸點(diǎn)間距為50微米。
Foveros Omni允許芯片分離，靈活性強，可以在混合芯片節點(diǎn)上將多個(gè)頂芯片塊和多個(gè)基塊混合在一起，為芯片到芯片互連和模塊化設計提供了性能3D堆棧技術(shù)。

Foveros Direct則是Foveros Omni的補充，是支持直接連接一個(gè)或多個(gè)小芯片至作用中底層芯片，以創(chuàng )造復雜系統模組。據英特爾指出，“直接”連接是透過(guò)將個(gè)別小芯片的銅線(xiàn)以熱壓縮方式與晶圓連接，或是直接讓整個(gè)晶圓彼此堆疊連接。此連接技術(shù)可以是“面對面”或是“面對背”，并納入來(lái)自不同晶圓代工的芯片或晶圓，提高產(chǎn)品架構彈性。而連接頻寬由銅線(xiàn)間距(以及產(chǎn)生的密度) 決定。第一代Foveros Direct 3D會(huì )使用9um的間距連接銅線(xiàn)；第二代則會(huì )縮小到間距只有3um。該技術(shù)實(shí)現了10微米以下的碰撞間距，提高了3D堆棧的互連密度，為功能芯片分區開(kāi)創(chuàng )了過(guò)去無(wú)法實(shí)現的新概念。

Foveros Direct 3D在堆疊芯片之間支援高頻寬且低延遲的互連（圖片來(lái)源：英特爾）

英特爾曾強調，隨著(zhù)整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入在單個(gè)封裝中集成多個(gè)小芯片（Chiplets）的異構時(shí)代，英特爾的3D Foveros 和2.5D EMIB等先進(jìn)封裝技術(shù)將可以達成在單個(gè)封裝中整合一兆個(gè)電晶體，以便在2030年之后繼續持續推動(dòng)摩爾定律的前進(jìn)。

EMIB技術(shù)也在持續升級，今年5月末，AMD和Intel公布了3.5D封裝。值得關(guān)注的是，英特爾的EMIB 3.5D是在一個(gè)封裝中嵌入多晶?；ミB橋接和Foveros 技術(shù)，適合需要在一個(gè)封裝中組合多個(gè)3D堆棧的應用。其Data Center GPU Max Series SoC，使用 EMIB 3.5D，打造出英特爾有史以來(lái)大批量生產(chǎn)的最復雜的異構芯片，該芯片擁有超過(guò)1000億個(gè)晶體管、47個(gè)活動(dòng)磁貼和5個(gè)工藝節點(diǎn)。