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成本可降低10%,日本推碳化硅襯底新技術(shù)

  • 據日經(jīng)中文網(wǎng)報道,日本中央硝子(Central Glass)開(kāi)發(fā)出了用于功率半導體材料“碳化硅(SiC)”襯底的新制造技術(shù)。據介紹,中央硝子開(kāi)發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液(液相法)來(lái)制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(cháng)(升華法)的傳統技術(shù)相比,液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上,良率也會(huì )大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復雜,此前該技術(shù)一直未應用在實(shí)際生產(chǎn)中。中央硝子運用基于計算機的計算化學(xué),通過(guò)推算溶液的動(dòng)態(tài)等,成功量產(chǎn)出了6
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  襯底  

從國際龍頭企業(yè)布局看SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

  • 碳化硅(SiC)具有高擊穿場(chǎng)強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn),可很好地滿(mǎn)足新能源汽車(chē)與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等應用需求,對我國“新基建”產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義,是未來(lái)五年“中國芯”最好的突破口之一,當下我國應該集中優(yōu)勢資源重點(diǎn)發(fā)展。
  • 關(guān)鍵字: ?202310  碳化硅  SiC  襯底  8英寸  擴產(chǎn)  

車(chē)規碳化硅功率模塊——襯底和外延篇

  • 中國汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì )最新數據顯示,2022年1月至11月,新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)分別完成625.3萬(wàn)輛和606.7萬(wàn)輛,同比均增長(cháng)1倍,市場(chǎng)占有率達到25%。由此可見(jiàn)新能源汽車(chē)的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了快車(chē)道。在這里我們注意到,由于里程焦慮和快速充電的要求,800V 電池母線(xiàn)系統獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線(xiàn)系統,讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模塊,由于碳化硅得天獨厚的優(yōu)勢,使得它非常適合用來(lái)制造高耐壓、高結溫、高速的MOSFET,這三高恰好契合了800V母線(xiàn)系統對于核心的功率器件的要求。安
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一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
  • 關(guān)鍵字: 射頻  抗擊穿  LDMOS  埋層  漂移區  襯底  

基于襯底驅動(dòng)技術(shù)的模擬電路設計

  • 隨著(zhù)亞微米、深亞微米技術(shù)和系統芯片(SOC)技術(shù)的日益成熟,功耗已經(jīng)成為模擬電路設計中首要考慮的問(wèn)題,低電壓低功耗集成電路設計漸漸成為主流。因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連,或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常
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采用塑料封裝和IMS襯底的混合動(dòng)力汽車(chē)功率IGBT模塊

  • 混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2,最新車(chē)型甚至可能把排放量降得更多。但是,HEV需要大功率的成本效益型電源開(kāi)關(guān),到目前為止,大功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品因為成本高,可靠性達不到汽車(chē)應用的期望,而無(wú)法適
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LED用藍寶石基板(襯底)詳細介紹

  • 1:藍寶石詳細介紹藍寶石的組成為氧化鋁(Al2O3),是由三個(gè)氧原子和兩個(gè)鋁原子以共價(jià)鍵型...
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三種LED襯底材料的比較

  • 對于制作LED芯片來(lái)說(shuō),襯底材料的選用是首要考慮的問(wèn)題。應該采用哪種合適的襯底,需要根據設備和led器件的要求...
  • 關(guān)鍵字: LED  襯底  

一種低壓低功耗襯底驅動(dòng)軌至軌運算放大器設計

  • 介紹了一種基于襯底驅動(dòng)技術(shù)的低電壓低功耗運算放大器。輸入級采用襯底驅動(dòng)MOSFET,有效避開(kāi)閾值電壓限制;輸出采用改進(jìn)前饋式AB類(lèi)輸出級,確保了輸出級晶體管的電流能夠得到精確控制,使輸出擺幅達到軌至軌。整個(gè)電路采用PTM標準0.18 μm CMOS工藝參數進(jìn)行設計,用Hspice進(jìn)行仿真。模擬結果顯示,測得直流開(kāi)環(huán)增益為62.1 dB,單位增益帶寬為2.13 MHz,相位裕度52°,電路在0.8 V低電壓下正常運行,電路平均功耗只有65.9 μW。
  • 關(guān)鍵字: 低壓  低功耗  襯底  驅動(dòng)    

基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

  • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因,對后期器件加工和應用帶來(lái)很多不便,SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,而價(jià)格相對便宜的Si襯底由于有著(zhù)優(yōu)良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢,因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
  • 關(guān)鍵字: GaN  LED  襯底  功率型    

襯底技術(shù)進(jìn)步快 集成創(chuàng )新成LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)

  •   2009中國LED顯示產(chǎn)業(yè)高峰論壇5月24日在“深圳光電顯示周”期間舉行。與此同時(shí),為表彰和鼓勵優(yōu)秀企業(yè)和技術(shù)創(chuàng )新,首屆中國LED行業(yè)年度評選頒獎典禮同時(shí)舉行。   LED(發(fā)光二極管)產(chǎn)業(yè)是朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)、綠色產(chǎn)業(yè)。LED顯示成為5月23日-26日“深圳光電顯示周”期間的最大亮點(diǎn)。在國際金融危機的背景下,眾多展會(huì )和論壇“冷場(chǎng)”或“縮水”,而24日的“2009中國LED顯示產(chǎn)業(yè)高峰論壇”
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SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片,連續波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時(shí)連續波輸出功率大于10W,帶內增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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襯底介紹

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