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襯底
襯底 文章 進(jìn)入襯底技術(shù)社區
成本可降低10%,日本推碳化硅襯底新技術(shù)
- 據日經(jīng)中文網(wǎng)報道,日本中央硝子(Central Glass)開(kāi)發(fā)出了用于功率半導體材料“碳化硅(SiC)”襯底的新制造技術(shù)。據介紹,中央硝子開(kāi)發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液(液相法)來(lái)制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(cháng)(升華法)的傳統技術(shù)相比,液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上,良率也會(huì )大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復雜,此前該技術(shù)一直未應用在實(shí)際生產(chǎn)中。中央硝子運用基于計算機的計算化學(xué),通過(guò)推算溶液的動(dòng)態(tài)等,成功量產(chǎn)出了6
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車(chē)規碳化硅功率模塊——襯底和外延篇

- 中國汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì )最新數據顯示,2022年1月至11月,新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)分別完成625.3萬(wàn)輛和606.7萬(wàn)輛,同比均增長(cháng)1倍,市場(chǎng)占有率達到25%。由此可見(jiàn)新能源汽車(chē)的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了快車(chē)道。在這里我們注意到,由于里程焦慮和快速充電的要求,800V 電池母線(xiàn)系統獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線(xiàn)系統,讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模塊,由于碳化硅得天獨厚的優(yōu)勢,使得它非常適合用來(lái)制造高耐壓、高結溫、高速的MOSFET,這三高恰好契合了800V母線(xiàn)系統對于核心的功率器件的要求。安
- 關(guān)鍵字: 車(chē)規碳化硅功率模塊 襯底 外延
基于襯底驅動(dòng)技術(shù)的模擬電路設計
- 隨著(zhù)亞微米、深亞微米技術(shù)和系統芯片(SOC)技術(shù)的日益成熟,功耗已經(jīng)成為模擬電路設計中首要考慮的問(wèn)題,低電壓低功耗集成電路設計漸漸成為主流。因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連,或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常
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一種低壓低功耗襯底驅動(dòng)軌至軌運算放大器設計
- 介紹了一種基于襯底驅動(dòng)技術(shù)的低電壓低功耗運算放大器。輸入級采用襯底驅動(dòng)MOSFET,有效避開(kāi)閾值電壓限制;輸出采用改進(jìn)前饋式AB類(lèi)輸出級,確保了輸出級晶體管的電流能夠得到精確控制,使輸出擺幅達到軌至軌。整個(gè)電路采用PTM標準0.18 μm CMOS工藝參數進(jìn)行設計,用Hspice進(jìn)行仿真。模擬結果顯示,測得直流開(kāi)環(huán)增益為62.1 dB,單位增益帶寬為2.13 MHz,相位裕度52°,電路在0.8 V低電壓下正常運行,電路平均功耗只有65.9 μW。
- 關(guān)鍵字: 低壓 低功耗 襯底 驅動(dòng)
襯底技術(shù)進(jìn)步快 集成創(chuàng )新成LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)
- 2009中國LED顯示產(chǎn)業(yè)高峰論壇5月24日在“深圳光電顯示周”期間舉行。與此同時(shí),為表彰和鼓勵優(yōu)秀企業(yè)和技術(shù)創(chuàng )新,首屆中國LED行業(yè)年度評選頒獎典禮同時(shí)舉行。 LED(發(fā)光二極管)產(chǎn)業(yè)是朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)、綠色產(chǎn)業(yè)。LED顯示成為5月23日-26日“深圳光電顯示周”期間的最大亮點(diǎn)。在國際金融危機的背景下,眾多展會(huì )和論壇“冷場(chǎng)”或“縮水”,而24日的“2009中國LED顯示產(chǎn)業(yè)高峰論壇”
- 關(guān)鍵字: CREE LED 襯底
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