產(chǎn)能翻一番，全球再添12英寸晶圓產(chǎn)線(xiàn)！

當地時(shí)間4月11日，為增加IGBT等功率半導體產(chǎn)品產(chǎn)能，日本半導體大廠(chǎng)瑞薩電子正式重啟此前已經(jīng)關(guān)閉的甲府工廠(chǎng)。瑞薩電子表示，因看好不斷增長(cháng)的電動(dòng)汽車(chē)（EV）市場(chǎng)需求，為了增加功率半導體產(chǎn)能，已重啟甲府工廠(chǎng)，并于當日舉行了開(kāi)幕典禮。

資料顯示，在2014年停止運營(yíng)之前，甲府工廠(chǎng)擁有6英寸和8英寸晶圓產(chǎn)線(xiàn)。2022年5月，為了應對日益增長(cháng)的功率半導體需求，瑞薩電子宣布重新啟用該工廠(chǎng)。

2022年，瑞薩電子對該工廠(chǎng)進(jìn)行了價(jià)值900億日元的投資，并導入功率半導體專(zhuān)用的12英寸產(chǎn)線(xiàn)。

瑞薩電子表示，此次重啟進(jìn)行試產(chǎn)等作業(yè)后，甲府工廠(chǎng)將在2025年開(kāi)始大規模生產(chǎn)IGBT和MOSFET等功率半導體產(chǎn)能，使瑞薩電子目前的功率半導體產(chǎn)能翻一番。 

當前，在消費電子、5G通訊、新能源汽車(chē)、數據中心以及光伏等產(chǎn)業(yè)需求的不對推動(dòng)下，碳化硅、氮化鎵等第三代化合物半導體市場(chǎng)規模開(kāi)始爆發(fā)。

全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)此前的調查顯示，2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規模達22.8億美元，年成長(cháng)41.4%。受惠于下游應用市場(chǎng)的強勁需求，TrendForce集邦咨詢(xún)預期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源。

氮化鎵方面，到2026年，全球GaN功率元件市場(chǎng)規模將從2022年的1.8億美金成長(cháng)至13.3億美金，復合增長(cháng)率高達65%。集邦咨詢(xún)預計至2025年左右，GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中，再遠到2030年，OEM或考慮將該技術(shù)引入牽引逆變器。