國內6英寸、8英寸碳化硅襯底片迎來(lái)新進(jìn)展

11月4日，晶盛機電“年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸、5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片項目”正式簽約啟動(dòng)，此舉旨在攻關(guān)半導體材料端關(guān)鍵核心技術(shù)，最終實(shí)現國產(chǎn)替代。

據悉，此次簽約項目總投資達21.2億元。據晶盛機電介紹，公司自2017年開(kāi)始碳化硅晶體生長(cháng)設備和工藝研發(fā)，相繼成功開(kāi)發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內為數不多能供應8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設了6-8英寸碳化硅晶體生長(cháng)、切片、拋光中試線(xiàn)，6英寸襯底片已通過(guò)多家下游企業(yè)驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。

碳化硅作為第三代半導體代表材料之一，因其優(yōu)秀的物理特性，適用于新能源汽車(chē)、光伏儲能、數據中心、5G通訊、特高壓等應用場(chǎng)景，近年來(lái)相關(guān)需求持續走高，但由于成本問(wèn)題，碳化硅的大規模商用化仍受阻礙。從成本結構來(lái)看，在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底材料成本占據整體成本大概40%，成為降本關(guān)鍵環(huán)節，而大尺寸襯底因具有更高的有效利用率，幫助降低成本，近年來(lái)備受各大業(yè)內知名企業(yè)的重視。

例如，全球第三大硅晶圓制造商環(huán)球晶計劃到2025年開(kāi)始大規模生產(chǎn)先進(jìn)類(lèi)型的芯片襯底，以滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)對功率半導體不斷增長(cháng)的需求。環(huán)球晶董事長(cháng)兼CEO徐秀蘭近日表示，該公司將于明年開(kāi)始8英寸碳化硅襯底的資格認證和測試生產(chǎn)，并于2025年開(kāi)始大規模生產(chǎn)。

此外，天岳先進(jìn)近日在回答投資者提問(wèn)時(shí)表示，自2022年以來(lái)，公司加快上海臨港新工廠(chǎng)產(chǎn)能建設，逐步加大導電型襯底產(chǎn)能產(chǎn)量，并于今年5月開(kāi)啟了產(chǎn)品交付，預計產(chǎn)能產(chǎn)量在2023年四季度仍將繼續提升。目前，第一階段30萬(wàn)片產(chǎn)能有望提前達產(chǎn)，第二階段96萬(wàn)片產(chǎn)能規劃也已啟動(dòng)。

盡管目前導電型碳化硅襯底產(chǎn)品仍然以6英寸為主，8英寸尚未普及，但早在2022年初，天岳先進(jìn)就公布了自主擴徑制備的高品質(zhì)8英寸襯底，目前公司已經(jīng)具備8英寸產(chǎn)品量產(chǎn)能力。

值得一提的是，在2023年Semicon論壇上，天岳先進(jìn)CTO高超博士稱(chēng)，公司通過(guò)液相法制備出了低缺陷密度的8英寸晶體。