DB HiTek超高壓（UHV）電力半導體業(yè)務(wù)正式展開(kāi)

近日，據DB HITEK官方消息，DB HITEK正在升級超高壓（UHV）電力半導體工藝技術(shù)，并正式推進(jìn)相關(guān)業(yè)務(wù)。超高壓電力半導體工藝技術(shù)的應用領(lǐng)域廣泛，包括家電、汽車(chē)、通信、工業(yè)等，支持設計和制造用于驅動(dòng)電機的 Gate Driver IC。Gate Driver IC市場(chǎng)占電力半導體IC市場(chǎng)的8%，預計自2022年至2027年年平均增長(cháng)率達109%，需求有望大幅增加。

通過(guò)此次工藝技術(shù)升級，DB HITEK將創(chuàng )造能夠在Gate Driver IC中同時(shí)使用Level-Shifter絕緣方式和Galvanic絕緣方式的環(huán)境。由此，客戶(hù)們可以發(fā)揮芯片便于設計的Level-Shifter和高壓操作穩定性較高的Galvanic絕緣的各自?xún)?yōu)勢，并且該工藝的應用范圍也有望從現有的家電領(lǐng)域擴展至汽車(chē)、太陽(yáng)能領(lǐng)域。

今年5月，DB HITEK首度推出了可以應用于系統空調等大功率壓縮機，且采用寬電壓，便于設計的900V級Level-Shifter。此外，實(shí)現了原本安裝于芯片外部的Bootstrap Diode內置自主研發(fā)了縮小體積的技術(shù)，并申請了專(zhuān)利，創(chuàng )造了不同于其他代工廠(chǎng)的Gate Driver IC設計環(huán)境。

DB HITEK表示，未來(lái)將確?？稍谖姲雽w中實(shí)現的全區間工藝技術(shù)， 并提供適用于各領(lǐng)域的最佳Gate Driver設計環(huán)境。

具體來(lái)說(shuō)，DB HITEK計劃于2024年1月將在Gate Driver IC市場(chǎng)中占最大比重10%的家電領(lǐng)域提供最佳600V工藝，并于年內依次確保用于電動(dòng)滑板車(chē)及電動(dòng)踏板車(chē)的200V工藝和用于紡織機及工規用1200V工藝，提升超高壓電力半導體的競爭力。