存儲器大廠(chǎng)：HBM4，2025年供貨！

人工智能浪潮之下，HBM從幕后走向臺前，市場(chǎng)需求持續看漲。全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)預測，2023年HBM需求量將年增58%，2024年有望再成長(cháng)約30%。

與傳統DRAM相比，HBM具備高帶寬、高容量、低延時(shí)與低功耗等優(yōu)勢，可以加快AI數據處理速度，更適用于ChatGPT等高性能計算場(chǎng)景，因而備受青睞，存儲大廠(chǎng)也在積極推動(dòng)HBM技術(shù)迭代。

存儲大廠(chǎng)持續發(fā)力，三星將推出HBM4

自2014年首款硅通孔HBM產(chǎn)品問(wèn)世至今，HBM技術(shù)已經(jīng)更新迭代出多款產(chǎn)品，分別有HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3e等。

原廠(chǎng)規劃方面，此前集邦咨詢(xún)調查顯示，兩大韓廠(chǎng)SK海力士（SK hynix）、三星（Samsung）先從HBM3開(kāi)發(fā)，代表產(chǎn)品為NVIDIA H100/H800以及AMD的MI300系列，兩大韓廠(chǎng)預計于2024年第一季送樣HBM3e；美系原廠(chǎng)美光（Micron）則選擇跳過(guò)HBM3，直接開(kāi)發(fā)HBM3e。

HBM3e將由24Gb mono die堆棧，在8層（8Hi）的基礎下，單顆HBM3e容量將一口氣提升至24GB，此將導入在2025年NVIDIA推出的GB100上，故三大原廠(chǎng)預計要在2024年第一季推出HBM3e樣品，以期在明年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。

除了HBM3、HBM3e之外，最新消息顯示，存儲大廠(chǎng)還在規劃推出下一代HBM——HBM4。

近日，三星電子副社長(cháng)、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團隊負責人黃尚俊對外表示，三星電子已開(kāi)發(fā)出9.8Gbps的HBM3E，計劃開(kāi)始向客戶(hù)提供樣品。同時(shí)，三星正在開(kāi)發(fā)HBM4，目標2025年供貨。據悉，三星電子正開(kāi)發(fā)針對高溫熱特性?xún)?yōu)化的非導電粘合膜（NCF）組裝技與混合鍵合（HCB）等技術(shù)，以應用于HBM4產(chǎn)品。

9月韓媒報道表示，為了掌握快速成長(cháng)的HBM市場(chǎng)，三星將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，并推出HBM4產(chǎn)品。據悉，HBM4內存堆棧將采用2048位內存接口 。此前所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位，足以可見(jiàn)HBM4具備的變革意義。

HBM4為時(shí)尚早，明年市場(chǎng)主流還得看HBM3與HBM3e

盡管HBM4將有大突破，但它畢竟不會(huì )很快到來(lái)，談應用以及普及為時(shí)尚早。業(yè)界指出，當前HBM市場(chǎng)以HBM2e為主，未來(lái)HBM3與HBM3e將挑起大梁。

集邦咨詢(xún)調查顯示，當前HBM市場(chǎng)主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數CSPs自研加速芯片皆以此規格設計。同時(shí)，為順應AI加速器芯片需求演進(jìn)，各原廠(chǎng)計劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e，預期HBM3與HBM3e將成為明年市場(chǎng)主流。

以HBM不同世代需求比重而言，據TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3，需求比重分別預估約是50%及39%。隨著(zhù)使用HBM3的加速芯片陸續放量，2024年市場(chǎng)需求將大幅轉往HBM3，而2024年將直接超越HBM2e，比重預估達60%，且受惠于其更高的平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP），將帶動(dòng)明年HBM營(yíng)收顯著(zhù)成長(cháng)。