臺積電3納米差點(diǎn)背鍋！iPhone15發(fā)熱禍首是一零件

iPhone 15 Pro系列新機出現容易過(guò)熱的毛病，外界一度以為是臺積電3納米的問(wèn)題，但蘋(píng)果官方上周末發(fā)聲明表示，主要是iOS 17系統的漏洞與第三方應用程序（APP）交互作用下所導致。此外，有業(yè)內人士爆料，罪魁禍首恐怕是規格升級的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取內存）造成運行龐大負擔。

知名科技爆料者Revegnus在社群軟件X（原名Twitter）上引述一位熟悉蘋(píng)果半導體業(yè)務(wù)的達人說(shuō)法，「幾乎已經(jīng)確定iPhone 15系列的DRAM是發(fā)燙的罪魁禍首，規格升級的DRAM為了配合數據處理速度，消耗了更多電力，這個(gè)過(guò)程中就會(huì )產(chǎn)生熱?！?/p>

Revegnus也提到，該名業(yè)內人士認為，此問(wèn)題可能會(huì )在一至兩個(gè)月內解決，并已經(jīng)排除其他會(huì )引起過(guò)熱的可能性。而TechInsights先前拆解iPhone 15 Pro新機后發(fā)現，搭載的DRAM是美光最先進(jìn)的D1β LPDDR5 DRAM芯片。

此前，韓媒將iPhone 15過(guò)熱原因指向臺積電3納米制程，并提到此跡象可能是FinFET制程技術(shù)已經(jīng)到達極限，而提早在3納米轉進(jìn)GAA制程的三星將有突破點(diǎn)，且如果市場(chǎng)對臺積電3納米存疑，客戶(hù)可能會(huì )轉向或同時(shí)采用三星的產(chǎn)品，引起熱烈討論。