英特爾新處理器曝光,制程大步前進(jìn)
近日,英特爾在馬來(lái)西亞封測廠(chǎng)舉行了一場(chǎng)參訪(fǎng)團活動(dòng),這是該廠(chǎng)區近 51 年來(lái)首度開(kāi)放媒體參觀(guān)檳城與居林廠(chǎng)區,過(guò)程中也讓今年下半年稍晚才要正式發(fā)表、首款采用 Intel 4 制程的處理器,在生產(chǎn)線(xiàn)的實(shí)際運作情形得以首次曝光。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202308/449937.htm這意味該芯片已進(jìn)入最后準備階段,也顯示英特爾要在 4 年內推進(jìn) 5 個(gè)制程節點(diǎn)的計劃又往前邁出一大步。
英特爾在全球共有 10 個(gè)生產(chǎn)據點(diǎn),這次邀請全球上百名媒體與分析師參訪(fǎng)在檳城的組裝測試廠(chǎng)、故障分析實(shí)驗室、驗證實(shí)驗室,以及位于居林的晶圓處理加工廠(chǎng),還有測試設備制造廠(chǎng)。
在檳城廠(chǎng)區的組裝測試廠(chǎng)中,外界得以親眼直擊英特爾下半年稍晚才要登場(chǎng)的 Meteor Lake 處理器,采用 4 個(gè)小芯片合并而成,已經(jīng)在生產(chǎn)線(xiàn)上進(jìn)行最后的組裝測試。
目前,英特爾量產(chǎn)的最先進(jìn)技術(shù)為 Intel 7 制程,比前一代 Intel 10 的 SuperFin 制程的每瓦效能提升約 10%-15%,而 Meteor Lake 采用 Intel 4 制程生產(chǎn),導入了極紫外光(EUV)光刻技術(shù),此制程標榜可讓產(chǎn)品的每瓦效能又提升約 20%。后續該公司還要持續推進(jìn)到 Intel 3 制程,預計今年下半年可準備量產(chǎn),Intel 20A 與 18A 制程則規劃分別于明年上、下半年進(jìn)入準備量產(chǎn)階段。
建新廠(chǎng)沖先進(jìn)封裝
英特爾正在馬來(lái)西亞檳城興新建封裝廠(chǎng),強化 2.5D/3D 封裝布局版圖,到 2025 年,旗下最先進(jìn)的 3D Foveros 封裝產(chǎn)能將開(kāi)放給客戶(hù)使用。
外界預期,英特爾結合先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝能量后,「一條龍生產(chǎn)」實(shí)力大增,在晶圓代工領(lǐng)域更具競爭力,與臺積電、三星等勁敵再次杠上。
同時(shí),英特爾自家先進(jìn)封裝能力更壯大,并喊話(huà)開(kāi)放讓客戶(hù)只選用其先進(jìn)封裝方案后,預料也會(huì )掀起封測市場(chǎng)騷動(dòng),須密切關(guān)注對日月光、安靠等 OSAT 封測廠(chǎng)的沖擊。
臺積電、三星都積極布建先進(jìn)封裝技術(shù)。臺積電方面,主打 3D Fabric 先進(jìn)封裝,包括 InFo、CoWoS 與 SoIC 方案; 三星也發(fā)展 I-cube、X-Cube 等封裝技術(shù)。
英特爾不落人后,其先進(jìn)封裝包括 2.5D EMIB 與 3D Foveros 方案。半導體三雄的競爭態(tài)勢從晶圓代工領(lǐng)域,一路延伸至先進(jìn)封裝。
英特爾從 2017 年開(kāi)始導入 EMIB 封裝,第一代 Foveros 封裝則于 2019 年推出,當時(shí)凸點(diǎn)間距為 50 微米。預計今年下半年稍晚推出的最新 Meteor Lake 處理器,則將利用第二代 Foveros 封裝技術(shù),凸點(diǎn)間距進(jìn)一步縮小為 36 微米。
英特爾并未透露現階段其 3D Foveros 封裝總產(chǎn)能,僅強調除了在美國奧勒岡州與新墨西哥州之外,在未來(lái)的檳城新廠(chǎng)也有相關(guān)產(chǎn)能建置,這三個(gè)據點(diǎn)的 3D 封裝產(chǎn)能合計將于 2025 年時(shí)增為目前的 4 倍。
英特爾副總裁 Robin Martin 在 22 日受訪(fǎng)時(shí)強調,未來(lái)檳城新廠(chǎng)將會(huì )成為英特爾最大的 3D Foveros 先進(jìn)封裝據點(diǎn)。
兩年前,英特爾宣布投資 35 億美元擴充新墨西哥州的先進(jìn)封裝產(chǎn)能,至今仍進(jìn)行中。至于檳城新廠(chǎng),該公司表示,興建進(jìn)度符合計劃,外界預估,該新廠(chǎng)可能于 2024 年稍晚或 2025 年完工運作。
值得注意的是,除了晶圓代工與一條龍延伸到封裝服務(wù),英特爾表示,開(kāi)放讓客戶(hù)也可以只選用其先進(jìn)封裝方案,目的是希望讓客戶(hù)可以更能擁有生產(chǎn)彈性。
英特爾在 CEO 基辛格帶領(lǐng)下,推行 IDM 2.0 策略,除了增加自家晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能,擴大晶圓代工業(yè)務(wù),同時(shí)也希望彈性利用第三方的晶圓代工產(chǎn)能。
隨著(zhù)先進(jìn)制程演進(jìn),小芯片(Chiplet)與異質(zhì)整合的發(fā)展趨勢明確,外界認為,英特爾的 2.5D/3D 先進(jìn)封裝布局除了強化自身處理器等產(chǎn)品實(shí)力之外,也是其未來(lái)對客戶(hù)爭取更多晶圓代工服務(wù)生意的一大賣(mài)點(diǎn)。
目前,幾大晶圓廠(chǎng)積極布局先進(jìn)封裝,由于芯片堆疊層數大增,帶動(dòng) ABF 載板需求倍增。
業(yè)界分析,目前各大廠(chǎng)喊出的 3D 先進(jìn)封裝實(shí)際仍需要 2.5D 封裝制程的載板乘載,而且良率仍低,若有出??谇掖髲S(chǎng)積極導入多元應用,未來(lái)載板需求增長(cháng)可期。
遭到市場(chǎng)點(diǎn)名的廠(chǎng)商一貫不評論單一客戶(hù)信息。產(chǎn)業(yè)界分別提到,先前 3D 封裝概念首度推出時(shí),不少人都認為未來(lái)不需要載板,因為可由晶圓廠(chǎng)直接 3D 堆疊做完全套制程,但實(shí)際在終端應用上僅少數裝置產(chǎn)品可采用,這是因為 3D 封裝成本較高,需要量大且真正有產(chǎn)品的出??诓拍芙档统杀?。
業(yè)界分析,從目前 ABF 載板最大需求應用在高速運算來(lái)看,尚未全數使用 3D 封裝,僅在部分芯片內存做 3D 封裝。產(chǎn)業(yè)界提到,當前 3D 封裝其實(shí)仍是 2.5D 技術(shù)加上部分 3D,中端尚未能全面實(shí)現僅 3D 封裝而不需 2.5D 封裝,而 2.5D 相關(guān)先進(jìn)封裝正是載板廠(chǎng)商機所在。
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