臺積電開(kāi)始為蘋(píng)果及英偉達試產(chǎn)2納米芯片

據外媒報導，全球晶圓代工龍頭臺積電不但已開(kāi)始開(kāi)發(fā)2納米制程，拉大了與競爭對手的差距，而且最近也開(kāi)始準備為Apple和NVIDIA開(kāi)始試產(chǎn)2納米產(chǎn)品。另外，為了進(jìn)一步開(kāi)發(fā)2納米制程技術(shù)，臺積電將派遣約1,000名研發(fā)人員前往目前正在建設中的Fab 20晶圓廠(chǎng)工作。

外媒Patently apple報導指出，三星電子于2022年6月采用GAA技術(shù)開(kāi)始量產(chǎn)3納米制程芯片，比臺積電提前6個(gè)月，成為全球首家量產(chǎn)該制程技術(shù)的企業(yè)。而受到三星先發(fā)制人的沖擊，臺積電高層多次公開(kāi)2納米制程技術(shù)的發(fā)展計劃，形成先進(jìn)制程發(fā)展競賽。此外，有報道還稱(chēng)，當前的臺積電還在開(kāi)發(fā)芯片背面供電的技術(shù)，目標是到2026年使用該技術(shù)。

除了臺積電之外，先前宣布計劃在2021年重新進(jìn)入晶圓代工業(yè)務(wù)的處理器大廠(chǎng)英特爾(Intel)也加入了先進(jìn)制程研發(fā)競賽。這家美國半導體大廠(chǎng)在當地時(shí)間6月1日的線(xiàn)上活動(dòng)中公布其芯片背面電源解決方案PowerVia的技術(shù)發(fā)展、測試數據和路線(xiàn)圖，開(kāi)始擴大其在晶圓代工產(chǎn)業(yè)的影響力。

此外，英特爾設定了一個(gè)目標，就是在2024年下半年將其代工技術(shù)推進(jìn)到1.8納米的節點(diǎn)。3月，該公司制定了一項計劃，就是藉由與ARM建立合作伙伴關(guān)系，達成1.8納米制程技術(shù)的量產(chǎn)。不過(guò)，市場(chǎng)人士也存在一些不確定看法，認為即使英特爾按照路線(xiàn)圖取得成功，但最終要達到收支平衡，對公司來(lái)說(shuō)仍是一個(gè)很大的挑戰。

報導還說(shuō)明了臺積電另一競爭對手三星的情況，就是三星DS部門(mén)總裁Kyung Kye-hyun于5月初的一次演講中表示，三星計劃超越臺積電，目標就是從比臺積電更早使用GAA技術(shù)的2納米制程開(kāi)始。

事實(shí)上，臺積電除了先進(jìn)制程之外，也透過(guò)先進(jìn)封裝技術(shù)來(lái)維持技術(shù)的領(lǐng)先。不久前，臺積電就宣布先進(jìn)封測六廠(chǎng)啟用正式啟用，成為臺積電首家達成前后端制程3D Fabric整合一體化自動(dòng)化先進(jìn)封測廠(chǎng)和測試服務(wù)工廠(chǎng)。同時(shí)，也為T(mén)SMC-SoIC（系統整合芯片）制程技術(shù)的量產(chǎn)做準備。先進(jìn)封測六廠(chǎng)的啟用，將使臺積電對SoIC、InFO、CoWoS、先進(jìn)測試等各項TSMC 3DFabric先進(jìn)封裝與硅堆疊技術(shù)，擁有更完整及靈活的產(chǎn)能規劃之外，也帶來(lái)更高的生產(chǎn)良率與效能協(xié)同效應。