長(cháng)電科技 XDFOI Chiplet 系列工藝實(shí)現穩定量產(chǎn)

IT之家 1 月 5 日消息，長(cháng)電科技宣布，公司 XDFOI Chiplet 高密度多維異構集成系列工藝已按計劃進(jìn)入穩定量產(chǎn)階段，同步實(shí)現國際客戶(hù) 4nm 節點(diǎn)多芯片系統集成封裝產(chǎn)品出貨，最大封裝體面積約為 1500mm2 的系統級封裝。

長(cháng)電科技于 2021 年 7 月推出了面向 Chiplet（小芯片）的高密度多維異構集成技術(shù)平臺 XDFOI，利用協(xié)同設計理念實(shí)現了芯片成品集成與測試一體化，涵蓋 2D、2.5D、3D Chiplet 集成技術(shù)。

長(cháng)電科技 XDFOI 通過(guò)小芯片異構集成技術(shù)，在有機重布線(xiàn)堆疊中介層（RDL Stack Interposer，RSI）上，放置一顆或多顆邏輯芯片（CPU / GPU 等），以及 I / O Chiplet 和 / 或高帶寬內存芯片（HBM）等，形成一顆高集成度的異構封裝體。一方面可將高密度 fcBGA 基板進(jìn)行“瘦身”，將部分布線(xiàn)層轉移至有機重布線(xiàn)堆疊中介層基板上，利用有機重布線(xiàn)堆疊中介層最小線(xiàn)寬線(xiàn)距 2μm 及多層再布線(xiàn)的優(yōu)勢，縮小芯片互連間距，實(shí)現更加高效、更為靈活的系統集成；另一方面，也可將部分 SoC 上互連轉移到有機重布線(xiàn)堆疊中介層，從而得以實(shí)現以 Chiplet 為基礎的架構創(chuàng )新，而最終達到性能和成本的雙重優(yōu)勢。

IT之家了解到，長(cháng)電科技 XDFOI 技術(shù)可將有機重布線(xiàn)堆疊中介層厚度控制在 50μm 以?xún)?，微凸點(diǎn)（μBump）中心距為 40μm，實(shí)現在更薄和更小單位面積內進(jìn)行高密度的各種工藝集成，達到更高集成度、更強模塊功能和更小封裝尺寸。同時(shí)，還可以在封裝體背面進(jìn)行金屬沉積，在有效提高散熱效率的同時(shí)，根據設計需要增強封裝的電磁屏蔽能力，提升芯片成品良率。

長(cháng)電科技 XDFOI Chiplet 高密度多維異構集成系列工藝已在高性能計算、人工智能、5G、汽車(chē)電子等領(lǐng)域應用。