生產(chǎn)力提升15% ASML交付首臺極紫外光刻機
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芯研所消息，ASML第一臺全新TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻機系統已經(jīng)交付給客戶(hù)，和前代產(chǎn)品相比生產(chǎn)力提高了約15-20％，套刻精度提高了約30％。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202107/427109.htm
據了解，本次交付的TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻機的EUV光源波長(cháng)13.5nm左右，物鏡NA數值孔徑0.33，第二代EUV光刻機將會(huì )是NXE:5000系列，物鏡NA提升到0.55，進(jìn)一步提高光刻精度。
ASML表示，正努力增加EUV光刻機在存儲行業(yè)的量產(chǎn)應用，計劃協(xié)助三個(gè)DRAM內存芯片客戶(hù)在未來(lái)的工藝節點(diǎn)中導入EUV。
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