臺積電陳平：超微縮和3D集成共同推動(dòng)工藝前進(jìn)

摩爾定律的未來(lái)還看不到盡頭，這是臺積電中國副總裁陳平博士最近在演講中傳遞的觀(guān)點(diǎn)。

摩爾定律到底有沒(méi)有到盡頭，這是一個(gè)業(yè)界爭議了二十多年的話(huà)題，如果但從半導體工藝制程的進(jìn)展上看，摩爾定律依舊繼續前行。作為目前半導體制造領(lǐng)域的領(lǐng)導者，來(lái)自臺積電的陳平博士就摩爾定律的發(fā)展進(jìn)行了分析，本文觀(guān)點(diǎn)性?xún)热莨澾x自陳平博士在ICCAD活動(dòng)的現場(chǎng)報告。

計算是整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)的核心驅動(dòng)力，兩年前在珠海的設計年會(huì )上，當年的預測移動(dòng)計算跟普及計算的兩個(gè)交差點(diǎn)會(huì )發(fā)生在2020年，從今年的產(chǎn)品來(lái)看，這一點(diǎn)真實(shí)發(fā)生了。所謂普及計算的時(shí)代，意味著(zhù)計算平臺會(huì )從移動(dòng)的智能手機，演變成多個(gè)平臺，包括移動(dòng)平臺、高速計算平臺，IoT平臺和智能車(chē)載平臺。在新的時(shí)期里的核心技術(shù)是5G和AI，5G是代表了連接技術(shù)，AI是數據的處理技術(shù)。5G跟AI非常依賴(lài)工藝技術(shù)之上，所以它對性能、功耗和集成度的要求都非常高。

在工藝上滿(mǎn)足要求無(wú)非是兩個(gè)路徑，第一個(gè)路徑是繼續延伸所謂的摩爾定律，就是微縮技術(shù)，所以在單片上面按照原來(lái)摩爾定律的方向繼續延伸。另外一個(gè)路徑是實(shí)現3D集成，目前臺積電在兩個(gè)方面都取得了很好的成果，目前世界上最大的GPU SoC，已經(jīng)有了500億晶體管，而用3D集成現在做到了最大的芯片是有2000億。

5G和AI共同的要求是兩個(gè)，一個(gè)是高能效，不管你是移動(dòng)終端還是云計算，都需要很高的能效。第二個(gè)是集成度，要把更多的晶體管放在系統芯片里面去。滿(mǎn)足這兩個(gè)要求，先進(jìn)工藝是不二選擇，必須有先進(jìn)工藝來(lái)支撐這件事。我們看一下工藝，我們的工藝能不能支持這樣的應用要求呢，這個(gè)曲線(xiàn)是我們熟悉的，所謂摩爾定律的一個(gè)曲線(xiàn)。5納米今年臺積電進(jìn)入了大量的量產(chǎn)，已經(jīng)有三個(gè)機種的量產(chǎn)。5納米比7納米還是更順利。5納米做的很多的器件，比如說(shuō)蘋(píng)果12，很多朋友都在享用。3納米的研發(fā)進(jìn)展現在也很順利，所以臺積電應該是按照我們的計劃在進(jìn)行，明年可以做完認證，后年會(huì )有大量的量產(chǎn)。5納米已經(jīng)被證明是成功的，再往前走，我們的工藝到底能夠走多遠呢，我跟大家做一些簡(jiǎn)單的分析。

我們知道做晶體管的微縮有幾個(gè)大的技術(shù)，第一個(gè)就是光刻技術(shù)，基于可見(jiàn)光的光刻技術(shù)，很多年一直用各種各樣的彌補方法，終于在兩年前我們的EUV技術(shù)成熟，進(jìn)行量產(chǎn)。它的光波長(cháng)是13.5納米。我們的日子就比以前好過(guò)了很多，所以7nm和5nm這兩代已經(jīng)非常成功的引進(jìn)，量產(chǎn)環(huán)節上已經(jīng)做得非常好了。

再往前這個(gè)研發(fā)還在繼續的進(jìn)行，所以EUV還會(huì )得到不斷的擴展，下一個(gè)節點(diǎn)叫high NA EUV。為了晶體管微縮，不光要保證光刻的技術(shù)，你還要保證器件結構和器件材料，因為當你器件變得很小的時(shí)候，你的器件結構就不能支持你的電性要求。從10納米開(kāi)始轉換，已經(jīng)用了好幾代，一直從3納米的結構都是可以支持的。3納米以后需要做器件結構的一些改變，現在這方面也有很好的候選者，這些都是后面的，所以在器件結構上，后面也是有準備的。

還有一個(gè)材料，這張圖可以顯示，如果用純粹的微材料的話(huà)，到3納米以后，你的速度會(huì )快速的降低。好在我們人類(lèi)的創(chuàng )新從來(lái)沒(méi)有停止，前幾年又有科技人員，又創(chuàng )造出了新的2D的材料，這些材料就是圖中所標識，他又可以拉回到水平去。所以摩爾定律，什么時(shí)候終結沒(méi)有答案，因為就我個(gè)人來(lái)說(shuō)，我第一次參加這個(gè)討論是30年前，最近的20年每年都有人在非常確定的說(shuō)，但是我們永遠不能低估人類(lèi)的創(chuàng )造力和創(chuàng )新，當我們遇到一個(gè)困難的時(shí)候，總有優(yōu)秀的科學(xué)家兩找到新的答案。

剛才講的是我們的單片上集成的晶體管，與此同時(shí)大家都已經(jīng)注意到所謂3DIC，就是異構或者同構的集成，最近已經(jīng)成為了我們行業(yè)的主流。從需求上來(lái)講有兩個(gè)很大的推手要我們做這件事。第一件事，我們在談SoC的時(shí)候，知道各種工藝技術(shù)它的路徑是不一樣的。我們的存儲器就比它要慢得多。在5納米以后明顯放慢，還有一些特殊工藝，像射頻工藝，他們那些本來(lái)就很慢，如果你把所有的東西都集成在同一個(gè)芯片上，第一不是永遠可能，第二也不經(jīng)濟，所以現在更好的方式，異構的集成來(lái)做，這是一個(gè)必須要做的事，也是摩爾定律延伸的另一個(gè)手段。

第二是同構的，我們需要把很多的晶體管放在電路上去，但是受光刻的限制，830平方毫米左右，這個(gè)是受限的。你如果做七八百個(gè)平方，你的成本，封裝，各種問(wèn)題就會(huì )出現，所以我們會(huì )把一個(gè)大的分成幾個(gè)小的，然后做到一起。

臺積電在這方面過(guò)去十來(lái)年，一直致力于研究，因為我們早就預見(jiàn)這種需求，一直在做研究，我們現在已經(jīng)推出了，最后稱(chēng)之為3D這一個(gè)平臺，在3D平臺里面大概分兩大類(lèi)的工藝，這個(gè)平臺類(lèi)涵蓋的工藝細節非常多。

總體來(lái)說(shuō)分兩個(gè)部分，第一個(gè)部分叫做前段3D，這個(gè)是他對工藝的要求是最高的。第二種所謂的先進(jìn)封裝的方式，這種有代表性的，我們臺積電已經(jīng)做了七八年的，CoWos技術(shù)和info技術(shù)，和傳統的是相輔相成的，鼓勵大家對這個(gè)方面多關(guān)注。

除了我剛才講的3D，在晶體管的技術(shù)微縮以外，也除了我剛才已經(jīng)提到的3D集成以外，還有一個(gè)重要的趨勢，就是設計和工藝的緊密結合，這個(gè)詞不是一個(gè)很虛幻的詞，現在所有的工藝開(kāi)發(fā)和設計的一個(gè)非常重要的元素。在系統架構上，設計的時(shí)候跟硬件之間的結合也必須納入一個(gè)考慮，所以軟件和硬件的協(xié)同設計，協(xié)同優(yōu)化是一個(gè)系統設計的必須。

所以總結剛才的分析，以集成電路純技術(shù)的發(fā)展方向來(lái)看，我們的看法是晶體管的技術(shù)微縮，3D的集成，軟硬件的協(xié)同優(yōu)化，這三個(gè)是我們的三大元素，缺一不可，指導我們今后很多年的發(fā)展。