意法半導體推出世界首款驅動(dòng)與GaN集成產(chǎn)品開(kāi)創(chuàng )更小、更快充電器電源時(shí)代

橫跨多重 電子應用 領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST) 近日推出世界首個(gè)嵌入硅基半橋驅動(dòng)芯片和一對氮化鎵(GaN)晶體管的 MasterGaN^? 產(chǎn)品平臺，這個(gè)集成化解決方案將有助于加快下一代400W以下輕便節能的用于消費電子和工業(yè)充電器和電源適配器的開(kāi)發(fā)速度。

※   世界首個(gè)單封裝集成硅基驅動(dòng)芯片和GaN功率晶體管的解決方案

※   比硅基充電器和適配器尺寸縮小80%，減重70%，充電速度提高2倍

 GaN技術(shù) 使電子設備能夠處理更大功率，同時(shí)設備本身變得更小、更輕、更節能，這些改進(jìn)將會(huì )改變用于智能手機的超快充電器和 無(wú)線(xiàn)充電器 、用于PC和游戲機的USB-PD緊湊型適配器，以及太陽(yáng)能儲電系統、不間斷電源或高端OLED電視機和云服務(wù)器等工業(yè)應用。

在當今的GaN市場(chǎng)上，通常采用分立 功率晶體管 和驅動(dòng)IC的方案，這要求設計人員必須學(xué)習如何讓它們協(xié)同工作，實(shí)現最佳性能。意法半導體的MasterGaN方案繞過(guò)了這一挑戰，縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間，并能獲得預期的性能，同時(shí)使封裝變得更小、更簡(jiǎn)單，電路組件更少，系統可靠性更高。憑借GaN技術(shù)和意法半導體集成產(chǎn)品的優(yōu)勢，采用新產(chǎn)品的充電器和適配器比普通硅基解決方案縮減尺寸80％，減重70％。

意法半導體執行副總裁、模擬產(chǎn)品分部總經(jīng)理Matteo Lo Presti表示：“ST獨有的MasterGaN產(chǎn)品平臺是基于我們的經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗的專(zhuān)業(yè)知識和設計能力，整合高壓智能功率BCD工藝與GaN技術(shù)而成，能夠加快節省空間、高能效的環(huán)境友好型產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)?！?/p>

MasterGaN1是意法半導體新產(chǎn)品平臺的首款產(chǎn)品，集成兩個(gè)半橋配置的GaN功率晶體管和高低邊驅動(dòng)芯片。

MasterGaN1現已量產(chǎn)，采用9mm x 9mm GQFN封裝，厚度只有1mm。

意法半導體還提供一個(gè)產(chǎn)品評估板，幫助客戶(hù)快速啟動(dòng)電源產(chǎn)品項目。

技術(shù)細節:

MasterGaN平臺借用意法半導體的STDRIVE 600V柵極驅動(dòng)芯片和GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)。9mm x 9mm GQFN薄型封裝保證高功率密度，為高壓應用設計，高低壓焊盤(pán)間的爬電距離大于2mm。

該產(chǎn)品系列有多種不同RDS(ON) 的GaN晶體管，并以引腳兼容的半橋產(chǎn)品形式供貨，方便工程師成功升級現有系統，并盡可能少地更改硬件。在高端的高能效拓撲結構中，例如，帶有源鉗位的反激或正激式變換器、諧振變換器，無(wú)橋圖騰柱PFC（功率因數校正器），以及在 AC/DC 和 DC/DC變換器 和DC/AC逆變器中使用的其它軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)拓撲，GaN晶體管的低導通損耗和無(wú)體二極管恢復兩大特性，使產(chǎn)品可以提供卓越的能效和更高的整體性能。

MasterGaN1有兩個(gè)時(shí)序參數精確匹配的常關(guān)晶體管，最大額定電流為10A，導通電阻(RDS(ON)) 為150mΩ。邏輯輸入引腳兼容3.3V至15V的信號，還配備全面的保護功能，包括高低邊UVLO欠壓保護、互鎖功能、關(guān)閉專(zhuān)用引腳和過(guò)熱保護。