工信部：持續推進(jìn)工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展

10月8日消息，據工信部網(wǎng)站發(fā)布的消息，工信部日前復函政協(xié)十三屆全國委員會(huì )第二次會(huì )議第2282號（公交郵電類(lèi)256號）提案表示，將持續推進(jìn)工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，根據產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，調整完善政策實(shí)施細則，更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

通過(guò)行業(yè)協(xié)會(huì )等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度，深入推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同，促進(jìn)我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應用推廣。

工信部稱(chēng)，集成電路是高度國際化、市場(chǎng)化的產(chǎn)業(yè)，資源整合、國際合作是快速提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展能力的重要途徑。工信部與相關(guān)部門(mén)積極支持國內企業(yè)、高校、研究院所與先進(jìn)發(fā)達國家加強交流合作。引進(jìn)國外先進(jìn)技術(shù)和研發(fā)團隊，推動(dòng)包括工業(yè)半導體芯片、器件等領(lǐng)域國際專(zhuān)家來(lái)華交流，支持海外高層次產(chǎn)業(yè)人才來(lái)華發(fā)展，提升我國在工業(yè)半導體芯片相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)能力和技術(shù)實(shí)力。

下一步，工信部和相關(guān)部門(mén)將繼續加快推進(jìn)開(kāi)放發(fā)展。引導國內企業(yè)、研究機構等加強與先進(jìn)發(fā)達國家產(chǎn)學(xué)研機構的戰略合作，進(jìn)一步鼓勵我國企業(yè)引進(jìn)國外專(zhuān)家團隊，促進(jìn)我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)能力的提升。

工信部表示，為解決工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關(guān)鍵性技術(shù)問(wèn)題，我部等相關(guān)部門(mén)積極支持工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。一是2017年我部推出“工業(yè)強基IGBT器件一條龍應用計劃”，針對新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通三大領(lǐng)域，重點(diǎn)支持IGBT設計、芯片制造、模塊生產(chǎn)及IDM、上游材料、生產(chǎn)設備制造等環(huán)節，促進(jìn)IGBT及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。二是指導湖南省建立功率半導體制造業(yè)創(chuàng )新中心建設，整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源，協(xié)同攻關(guān)工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵共性技術(shù)。三是指導中國寬禁帶半導體及應用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國IGBT技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線(xiàn)圖（2018-2030）》，引導我國IGBT行業(yè)技術(shù)升級，推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

下一步，工信部將繼續支持我國工業(yè)半導體領(lǐng)域成熟技術(shù)發(fā)展，推動(dòng)我國芯片制造領(lǐng)域良率、產(chǎn)量的提升。積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)，推動(dòng)我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

另外，工信部表示，我部與教育部等部門(mén)將進(jìn)一步加強人才隊伍建設。推進(jìn)設立集成電路一級學(xué)科，進(jìn)一步做實(shí)做強示范性微電子學(xué)院，加快建設集成電路產(chǎn)教融合協(xié)同育人平臺，保障我國在工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的可持續發(fā)展。