四千億元擴增內存工廠(chǎng)？美光：沒(méi)打算擴增內存產(chǎn)能

日前有報道稱(chēng)，美光將在中科園區投資4000億新臺幣（約合900多億人民幣）建設A3、A5兩座晶圓廠(chǎng)，預計今年Q4季度開(kāi)始生產(chǎn)最先進(jìn)的1Znm工藝DRAM內存芯片，規劃的產(chǎn)能高達6萬(wàn)片晶圓/月。

在當前內存價(jià)格連跌了三個(gè)季度、市場(chǎng)供需面臨不確定時(shí)，美光此時(shí)大舉增加投資擴產(chǎn)內存產(chǎn)能，此舉被業(yè)內人士視為內存價(jià)格進(jìn)一步下滑的開(kāi)始。

不過(guò)美光方面回應稱(chēng)，A3工廠(chǎng)預計明年Q4季度完工，主要是擴建了無(wú)塵室，A5工廠(chǎng)目前還在尋找地點(diǎn)，尚無(wú)具體規劃，投資金額也不便透露。

美光強調，目前在全球的產(chǎn)能布局原則僅僅是提升制程工藝，重點(diǎn)是提升存儲產(chǎn)品的容量，但不會(huì )增加晶圓投片數量，換句話(huà)說(shuō)就是美光增加內存投資也只是為了提升產(chǎn)品的容量，提高自家產(chǎn)品的競爭力，但是晶圓產(chǎn)能并不會(huì )增加，市場(chǎng)上的供需情況不會(huì )因為這些投資而變。

在擴建內存產(chǎn)能之前，美光前幾天還擴建了位于新加坡的Fab 10A閃存工廠(chǎng)，新蓋了無(wú)塵室等生產(chǎn)設施，提高了Fab 10晶圓廠(chǎng)的生產(chǎn)靈活性，但美光同樣強調并不打算增產(chǎn)NAND，通過(guò)資本開(kāi)支調整、技術(shù)轉換等方式，Fab 10廠(chǎng)區的總產(chǎn)能不變。