儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS? 功率MOSFET
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時(shí)間：2019-07-15
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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由于具有最低的導通電阻(RDS(on))，這些BiC MOSFET能夠以良好的性?xún)r(jià)比降低損耗。此外，通管殼(Junction to Case (RthJC)) 的較低熱阻提供了出色的散熱性能，從而帶來(lái)更低的滿(mǎn)載運作溫度。較低的反向恢復電荷(Qrr)通過(guò)顯著(zhù)減小電壓過(guò)沖來(lái)提高系統可靠性，從而最大限度地減少對緩沖電路的需求，同時(shí)也減少了工程成本和工作量。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201907/402680.htm這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°，有助于實(shí)現在更高的工作結溫下具有更高功率，或者在相同的工作結溫下具有更長(cháng)使用壽命的設計。此外，隨著(zhù)額定溫度的增加，安全工作區域(SAO)亦改善了20%。
這些BiC MOSFET具有出色的性能數據，非常適合電信、服務(wù)器、三相逆變器、低壓驅動(dòng)器以及D類(lèi)音頻等應用。英飛凌OptiMOS? BiC功率MOSFET產(chǎn)品系列包括60V至250V型款。
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