東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET

中國上海，2024年2月22日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，在新一代^[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用于包括數據中心和光伏功率調節器等應用的開(kāi)關(guān)電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日開(kāi)始支持批量出貨。 

新產(chǎn)品采用高速二極管，旨在改善橋式電路和逆變電路應用中至關(guān)重要的反向恢復^[2]特性。與標準型DTMOSVI相比，新產(chǎn)品將反向恢復時(shí)間（trr）縮短了65 %，并將反向恢復電荷（Qrr）減少88 %（測試條件：-dIDR/dt＝100 A/μs）。

新產(chǎn)品采用的DTMOSVI（HSD）工藝改善了東芝DTMOSIV系列（DTMOSIV（HSD））的反向恢復特性，并在高溫下具有更低的漏極截止電流。此外，新產(chǎn)品的品質(zhì)因數“漏極-源極導通電阻×柵極-漏極電荷”也更低。相較于東芝現有的TK62N60W5^{[4] [5]}器件，TK042N65Z5的高溫漏極截止電流降低了約90 %^[3]，漏極-源極導通電阻×柵極-源極電荷降低了72 %。這將一進(jìn)步將降低功率損耗，有助于提高產(chǎn)品效率。在1.5 kW LLC電路^[6]測試中，與使用TK62N60W5相比，使用TK042N65Z5可使電源效率提高約為0.4 %。

即日起，客戶(hù)可在東芝網(wǎng)站上獲取使用TK095N65Z5的參考設計“1.6 kW服務(wù)器電源（升級版）”。此外，東芝還提供支持開(kāi)關(guān)電源電路設計的相關(guān)工具。除能夠迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外，現在還提供能夠準確地再現電路瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝計劃在未來(lái)擴展DTMOSVI（HSD）的產(chǎn)品線(xiàn)。新器件將采用TO-220和TO-220SIS通孔型封裝，以及TOLL和DFN 8í8表貼型封裝。

此外，在已推出的650 V和600 V產(chǎn)品以及新的高速二極管型產(chǎn)品基礎上，東芝還將繼續擴展DTMOSVI系列的產(chǎn)品線(xiàn)，以提高開(kāi)關(guān)電源的效率，為設備節能做出貢獻。 

標準型和高速二極管型650 V功率MOSFET的Qrr比較 

TK095N65Z5與TK35N65W5的IDSS＠150 °C×trr比較 

TK042N65Z5和TK62N60W5的RDS(ON)×Qgd比較 

TK042N65Z5和TK62N60W5的效率比較

使用新產(chǎn)品的參考設計“1.6 kW服務(wù)器電源（升級版）”

電路板外觀(guān) 

簡(jiǎn)易方框圖

?應用：

工業(yè)設備

- 開(kāi)關(guān)電源（數據中心服務(wù)器、通信設備等）

- 電動(dòng)汽車(chē)充電站

- 光伏發(fā)電機組的功率調節器

- 不間斷電源系統

?特點(diǎn)：

- 新一代DTMOSVI系列高速二極管型產(chǎn)品

- 高速二極管型產(chǎn)品的反向恢復時(shí)間：

TK042N65Z5 trr＝160 ns（典型值）

TK095N65Z5 trr＝115 ns（典型值）

- 通過(guò)低柵漏電荷實(shí)現高速開(kāi)關(guān)時(shí)間：

TK042N65Z5 Qgd＝35 nC（典型值）

TK095N65Z5 Qgd＝17 nC（典型值）

?主要規格：

（除非另有說(shuō)明，Ta＝25 °C）

注：

[1] 截至2024年2月22日的東芝調查。

[2] MOSFET體二極管從正向偏置切換到反向偏置的開(kāi)關(guān)動(dòng)作

[3] 數值由東芝測量得出：

- 新產(chǎn)品TK042N65Z5為0.2 mA（測試條件：VDS＝650 V、VGS＝0 V、Ta＝150 °C）

- 現有產(chǎn)品TK62N60W5為1.9 mA（測試條件：VDS＝600 V、VGS＝0 V、Ta＝150 °C）

[4] 600 V DTMOSIV（HSD）系列

[5] 數值由東芝測量得出。

測試條件：

- TK62N60W5

RDS(ON)：ID＝30.9 A、VGS＝10 V、Ta＝25 °C

Qgd：VDD＝400 V、VGS＝10 V、ID＝61.8 A、Ta＝25 °C

- TK042N65Z5

RDS(ON)：ID＝27.5 A、VGS＝10 V、Ta＝25 °C

Qgd：VDD＝400 V、VGS＝10 V、ID＝55 A、Ta＝25 °C

[6] 數值由東芝測量得出。

測試條件：Vin＝380 V、Vout＝54 V、Ta＝25 °C

[7] VDSS＝600 V

*本文提及的公司名稱(chēng)、產(chǎn)品名稱(chēng)和服務(wù)名稱(chēng)可能是其各自公司的商標。

*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規格、服務(wù)內容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。