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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS? 功率MOSFET

- 由于具有最低的導通電阻(RDS(on)),這些BiC MOSFET能夠以良好的性?xún)r(jià)比降低損耗。此外,通管殼(Junction to Case (RthJC)) 的較低熱阻提供了出色的散熱性能,從而帶來(lái)更低的滿(mǎn)載運作溫度。較低的反向恢復電荷(Qrr)通過(guò)顯著(zhù)減小電壓過(guò)沖來(lái)提高系統可靠性,從而最大限度地減少對緩沖電路的需求,同時(shí)也減少了工程成本和工作量。這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°,有助于實(shí)現在更高的工作結溫下具有更高功率,或者在相同的工作結溫下具有更長(cháng)使用壽命的設計。此外,隨著(zhù)額定溫度的
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英飛凌optimos?介紹
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