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功率mosfet
功率mosfet 文章 進(jìn)入功率mosfet技術(shù)社區
P通道功率MOSFET及其應用
- Littelfuse P通道功率MOSFET雖不及廣泛使用的N通道MOSFET出名，在傳統的應用范圍也較有限，然而，隨著(zhù)低壓（LV）應用需求的增加，P通道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側（HS）應用P通道的簡(jiǎn)易性，使其對低壓變換器（< 120 V）和非隔離的負載點(diǎn)更具吸引力。因為無(wú)需電荷泵或額外的電壓源，高端側（HS）P信道MOSFET易于驅動(dòng)，具有設計簡(jiǎn)單、節省空間，零件數量少等特點(diǎn)，提升成本效率。本文通過(guò)對N信道和P信道MOSFETs進(jìn)行比較，介紹Littelfuse P通道功率MOS
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英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現代汽車(chē)應用提供更高效率
- 英飛凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC?封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過(guò)汽車(chē)電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠實(shí)現簡(jiǎn)單、緊湊的雙面PCB設計，并更大程度地降低未來(lái)汽車(chē)電源設計的冷卻要求和系統成本。因此，SSO10T TSC適用于電動(dòng)助力轉向（EPS）、電子機械制動(dòng)（EMB）、配電、無(wú)刷直流驅動(dòng)器（BLDC）、安全開(kāi)關(guān)、反向電池和DCDC轉換器等應用。SSO10T TSC的占板面積為5
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推動(dòng)汽車(chē)電子功率器件變革的新型應用——功率MOSFET篇
- 過(guò)去15到20年間，汽車(chē)用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話(huà)題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車(chē)電子系統中常遇到的掉載和系統能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現象，且其封裝簡(jiǎn)單，主要采用TO220 和 TO247封裝。同時(shí)，電動(dòng)車(chē)窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應用已逐漸成為大多數汽車(chē)的標配，在設計中需要類(lèi)似的功率器件。在這期間，隨著(zhù)電機、螺線(xiàn)管和燃油噴射器日益普及，車(chē)用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。今天的汽車(chē)電子系統已開(kāi)創(chuàng )了功率器件的新時(shí)代。本文將介紹和討論幾種推動(dòng)汽車(chē)電子功率器件
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東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET
- 中國上海，2024年2月22日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用于包括數據中心和光伏功率調節器等應用的開(kāi)關(guān)電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日開(kāi)始支持批量出貨。 新產(chǎn)品采用高速二極管，旨在改善橋式電路和逆變電路應用中至關(guān)重要的反
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Vishay推出采用源極倒裝技術(shù)PowerPAK 1212-F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET
- 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進(jìn)一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導
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Littelfuse推出首款汽車(chē)級PolarP P通道增強模式功率MOSFET
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司宣布推出首款汽車(chē)級PolarP? P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。這種創(chuàng )新性產(chǎn)品設計可滿(mǎn)足汽車(chē)應用的苛刻要求，提供卓越的性能和可靠性。-500 V、-2 A IXTY2P50PA最為與眾不同之處在于通過(guò)了AEC-Q101認證，這一特點(diǎn)使其成為汽車(chē)應用的理想選擇。該認證確保MOSFET符合汽車(chē)行業(yè)嚴格的質(zhì)量和可靠性標準。憑借這項認證，汽車(chē)制造商可確信IXTY2P50PA能夠提供卓越的應用性能
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啟方半導體與威世簽署功率MOSFET長(cháng)期生產(chǎn)代工協(xié)議
- 韓國8英寸純晶圓代工廠(chǎng)啟方半導體(Key Foundry)今日宣布，該公司已經(jīng)與威世集團(Vishay Intertechnology Inc.)(NYSE: VSH)簽署了多款功率MOSFET產(chǎn)品的長(cháng)期供應協(xié)議。功率MOSFET是在高電壓、大電流的工作狀態(tài)下，具備低功耗、高速開(kāi)關(guān)能力和高可靠性的，幾乎可以應用于所有電子設備的典型的功率分立器件。市場(chǎng)調研公司OMDIA的數據表明，2022年功率分立器件的市場(chǎng)規模為212億美元，預計到2027年將達到284億美元，年復合增長(cháng)率為6%。威世是全球領(lǐng)先的功率分立
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Vishay推出具有業(yè)內先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻比前代器件降低48.2%，同時(shí)導通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數是650?V MOSFET在功率轉換應用中的重要優(yōu)值系數（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉換過(guò)程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
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英飛凌推出OptiMOS?功率MOSFET，擴大采用PQFN 2mmx2mm封裝的產(chǎn)品陣容
- 【2023年8月3日，德國慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節省空間、降低成本和簡(jiǎn)化應用設計方面發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現靈活的布線(xiàn)并縮小系統的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實(shí)現更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣泛適用于各種應用，如服務(wù)器、通信
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東芝推出100V N溝道功率MOSFET,助力實(shí)現電源電路小型化
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS?X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數據中心和通信基站所用的工業(yè)設備電源線(xiàn)路上的開(kāi)關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過(guò)同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區擴展了76%[3]，使其適合線(xiàn)性
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東芝推出采用超級結結構的600V N溝道功率MOSFET
- 中國上海，2023年6月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線(xiàn)。該器件采用超級結結構，耐壓600V，適用于數據中心、開(kāi)關(guān)電源和光伏發(fā)電機功率調節器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開(kāi)始批量出貨。 通過(guò)對柵極設計和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的單位面積漏源導通電阻降
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東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的低導通電阻和改進(jìn)的反向恢復特性
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設備開(kāi)關(guān)電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。TPH9R00CQ5具有行業(yè)領(lǐng)先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導通電阻，與東芝現有產(chǎn)品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。與此同時(shí)，與東芝現有產(chǎn)品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢復電荷減少約74%，反向恢復[5]時(shí)間縮短約44
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英飛凌推出PQFN封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET
- 未來(lái)電力電子系統的設計將持續推進(jìn)，以實(shí)現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結構。該新產(chǎn)品系列在半導體器件級層面做出了重要的性能改進(jìn)，為DC-DC功率轉換提供了極具吸引力的解決方案，同時(shí)也為服務(wù)器、通信、OR-ing、電池保護、電動(dòng)工具以及充電器應用的系統創(chuàng )新開(kāi)辟了新的可能性。該新產(chǎn)品系列采用了英飛凌
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東芝電子元件及存儲裝置發(fā)布150V N溝道功率MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡(jiǎn)稱(chēng)“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）“TPH9R00CQH”。該產(chǎn)品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”，適用于工業(yè)設備的開(kāi)關(guān)電源，包括部署在數據中心和通信基站的設備。3月31日開(kāi)始出貨。TPH9R00CQH的漏極-源極導通電阻比TPH1500CNH低大約42%，后者是一款采用了當前U-MOSVIII-H工藝的15
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功率mosfet介紹
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫(xiě)，意即“金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著(zhù)氧化層O利用電場(chǎng)的效應來(lái)控制半導體S的場(chǎng)效應晶體管。除少數應用于音頻功率放大器，工作于線(xiàn)性范圍，大多數用作開(kāi)關(guān)和驅動(dòng)器，工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達幾安培到幾十安培。 [ 查看詳細 ]
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