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Vishay推出采用源極倒裝技術(shù)PowerPAK 1212-F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET
- 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進(jìn)一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導
- 關(guān)鍵字： Vishay 源極倒裝技術(shù) PowerPAK 功率MOSFET
Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導通電阻是最低的。 新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統中的適配器、負載和電池開(kāi)關(guān)。適配器開(kāi)關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開(kāi)啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET PowerPAK TrenchFET
Vishay Siliconix 推出符合DrMOS規定的新款器件
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出集成的DrMOS解決方案 --- SiC762CD。在緊湊的PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝內，該器件集成了對PWM信號優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、完整功能的MOSFET驅動(dòng)IC，以及陰極輸出二極管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®規定的服務(wù)器、PC、圖形卡、工作站、游戲機和其他高功率CPU系統中電壓調節器(VR)標準。該器件的工作頻率超過(guò)1MHz，效率高達92%。 SiC7
- 關(guān)鍵字： Vishay 驅動(dòng)IC PowerPAK SiC762CD
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