Vishay推出采用源極倒裝技術(shù)PowerPAK 1212-F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET
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美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進(jìn)一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導通電阻僅為0.71 mW，導通電阻與柵極電荷乘積，即開(kāi)關(guān)應用中MOSFET關(guān)鍵的優(yōu)值系數（FOM）為42 mW*nC，達到業(yè)內先進(jìn)水平。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202402/455530.htm
日前發(fā)布的器件占位面積與PowerPAK 1212-8S封裝相同，導通電阻降低18%，提高了功率密度，同時(shí)源極倒裝技術(shù)將熱阻從63°C/W降至56°C/W。此外，SiSD5300DN優(yōu)值系數比上代器件低35%，從而降低了導通和開(kāi)關(guān)損耗，節省功率轉換應用的能源。
PowerPAK1212-F源極倒裝技術(shù)顛倒通常接地焊盤(pán)和源極焊盤(pán)的位置，擴大接地焊盤(pán)面積，提供更有效的散熱路徑，有助于降低工作溫度。同時(shí)，PowerPAK 1212-F減小了開(kāi)關(guān)區范圍，有助于降低跡線(xiàn)噪聲的影響。另外，PowerPAK 1212-F封裝源極焊盤(pán)尺寸增加了10倍，從0.36mm2提高到4.13 mm2，從而改進(jìn)熱性能。PowerPAK1212-F中央柵極結構還簡(jiǎn)化了單層PCB基板多器件并聯(lián)的使用。
采用源極倒裝PowerPAK1212-F封裝的SiSD5300DN特別適合二次整流、有源箝位電池管理系統（BMS）、降壓和BLDC轉換器、OR-ing FET、電機驅動(dòng)器和負載開(kāi)關(guān)等應用。典型終端產(chǎn)品包括焊接設備和電動(dòng)工具、服務(wù)器、邊緣設備、超級計算機、平板電腦、割草機和掃地機以及無(wú)線(xiàn)電基站。
器件經(jīng)過(guò)100% RG和UIS測試，符合RoHS標準，無(wú)鹵素。
主要技術(shù)規格表：
SiSD5300DN現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，供貨周期為26周。
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