存儲芯片價(jià)格續跌，三星半導體與Intel的差距將進(jìn)一步擴大

今年二季度即將結束，近日市調機構集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)發(fā)布分析報告估計DRAM和NAND Flash兩種存儲芯片的價(jià)格本季度出現約兩成的下跌，如此將意味著(zhù)主要依賴(lài)存儲芯片業(yè)務(wù)的三星半導體業(yè)務(wù)的營(yíng)收將進(jìn)一步下跌，它與半導體老大Intel的營(yíng)收差距將進(jìn)一步擴大。

　　存儲芯片價(jià)格下跌致三星半導體敗給Intel

　　三星是全球最大的存儲芯片企業(yè)，占據DRAM市場(chǎng)超過(guò)四成市場(chǎng)份額，在NAND Flash市場(chǎng)則占有三成的市場(chǎng)份額，均位居第一名，在這兩個(gè)行業(yè)其市場(chǎng)份額均遙遙領(lǐng)先于其他競爭對手。

　　自2016年以來(lái)，DRAM、NAND Flash價(jià)格持續上漲，三星的半導體業(yè)務(wù)營(yíng)收也水漲船高，至2017年該項業(yè)務(wù)的營(yíng)收達到690億美元，而Intel同期的營(yíng)收為630億美元，這是Intel自1992年以來(lái)首次失去半導體老大的位置。至2018年，三星的半導體業(yè)務(wù)營(yíng)收進(jìn)一步增加至758.54億美元，而Intel的營(yíng)收則為658.62億美元，前者對后者的領(lǐng)先優(yōu)勢進(jìn)一步擴大。

　　不過(guò)三星所處的存儲芯片行業(yè)存在較強的周期性，在歷史上，存儲芯片價(jià)格起伏不斷，這也導致了主要依賴(lài)存儲芯片獲得收入的三星半導體的營(yíng)收并不穩定。

　　2017年四季度起，NAND Flash的價(jià)格開(kāi)始出現下跌，2018年四季度起DRAM價(jià)格也出現下跌，不過(guò)2018年前三季度DRAM的價(jià)格上漲還是推動(dòng)了三星半導體業(yè)務(wù)的營(yíng)收增長(cháng)，但是增速已出現顯著(zhù)下滑。2017年三星的半導體業(yè)務(wù)營(yíng)收同比增速超過(guò)四成，而2018年三星半導體業(yè)務(wù)的營(yíng)收同比增速已降至26.7%，到了今年一季度隨著(zhù)DRAM和NAND Flash的價(jià)格持續下降，三星半導體的營(yíng)收出現同比大跌34%。

　　相比之下，Intel由于它在PC處理器市場(chǎng)和服務(wù)器芯片市場(chǎng)占據領(lǐng)導地位，擁有定價(jià)權，其業(yè)務(wù)營(yíng)收則保持穩定，今年一季度雖然其飽受14nmFinFET工藝產(chǎn)能不足的困擾導致PC處理器持續缺貨，但是其營(yíng)收依然與上年持平，而三星半導體業(yè)務(wù)的營(yíng)收出現大幅下滑，最終今年一季度三星半導體以128.67億美元的營(yíng)收敗給了Intel的157.99億美元，兩者互換位置。

　　三星半導體與Intel的差距將進(jìn)一步擴大

　　DRAMeXchange估計本季度NAND Flash的價(jià)格將下跌兩成左右，這已是NAND Flash連續七個(gè)季度下跌；DRAM在去年四季度出現個(gè)位數的跌幅，今年一季度跌幅則擴大至三成，估計二季度的跌幅將達到25%左右。

　　存儲芯片的價(jià)格持續下跌，意味著(zhù)三星半導體業(yè)務(wù)的營(yíng)收將進(jìn)一步下跌；Intel在4月底公布今年一季度的營(yíng)收時(shí)候預估二季度的營(yíng)收為156億美元，基本與今年一季度相當。如此一來(lái)，意味著(zhù)本季度三星半導體的營(yíng)收與Intel的差距將進(jìn)一步擴大。

　　存儲芯片價(jià)格持續下跌與智能手機市場(chǎng)和PC市場(chǎng)低迷有關(guān)，今年一季度全球智能手機出貨量同比下跌6.6%，這已是全球智能手機市場(chǎng)連續六個(gè)季度下滑，同期PC出貨量也出現了4.6%的下滑，智能手機和PC出貨量下滑自然導致這些產(chǎn)品對存儲芯片的需求減弱。

　　在需求減弱的同時(shí)，供給卻一直都在增加，導致價(jià)格跌勢持續。在DRAM市場(chǎng)，前三強三星、SK海力士、鎂光一直都在持續投資增加產(chǎn)能以提升市場(chǎng)份額，導致了DRAM的供給一直都在穩步上升。NAND Flash的供給大幅增加則與技術(shù)的升級有關(guān)，2017年廠(chǎng)商開(kāi)始導入64層3D技術(shù)，NAND Flash的容量大幅增加，這是導致該項產(chǎn)品從2017年四季度就開(kāi)始進(jìn)入下跌周期的原因，目前各個(gè)廠(chǎng)商已開(kāi)始在64層3D技術(shù)上展開(kāi)競賽，NAND Flash的產(chǎn)能將繼續增長(cháng)。

三星與Intel的競爭開(kāi)始復雜化

　　三星當然認識到存儲芯片行業(yè)存在長(cháng)周期，近幾年它開(kāi)始試圖在半導體行業(yè)實(shí)現多元化發(fā)展，其中之一就是拓展芯片代工業(yè)務(wù)。在芯片制造工藝上，三星和臺積電已是全球的領(lǐng)先者，它們當前都已投產(chǎn)7nm EUV工藝，而Intel才剛投產(chǎn)10nm該工藝。在芯片制造工藝上取得優(yōu)勢后，三星在2017年成立獨立的芯片代工部門(mén)，希望在未來(lái)能奪取芯片代工市場(chǎng)25%的市場(chǎng)份額，其時(shí)它在芯片代工市場(chǎng)占有的份額不到8%。

　　如果三星未來(lái)在芯片代工市場(chǎng)能達到預期的目標，這將為它帶來(lái)150億美元至200億美元的收入，這將成為其半導體業(yè)務(wù)營(yíng)收的增長(cháng)動(dòng)力，或許會(huì )有助于它在半導體市場(chǎng)再度超越Intel。

　　當然Intel也不閑著(zhù)，其早在2006年就與存儲芯片企業(yè)鎂光成立合資公司研發(fā)存儲芯片，2017年雙方共同宣布推出3D Xpoint技術(shù)。目前Intel已是全球第六大NAND Flash廠(chǎng)商，Intel還有意推出采用3D Xpoint技術(shù)的DRAM，其希望通過(guò)將這種技術(shù)的DRAM與它的服務(wù)器芯片相結合從而進(jìn)一步提升服務(wù)器芯片的整體的性能，同時(shí)這也有助于它在存儲芯片市場(chǎng)發(fā)力。

　　Intel對存儲芯片行業(yè)的野心已讓包括三星在內的諸多存儲芯片企業(yè)感受到威脅，因為Intel主導著(zhù)PC市場(chǎng)和服務(wù)器市場(chǎng)，如果它的計劃取得成功，那么存儲芯片企業(yè)也就沒(méi)有了生存的空間，或許擔憂(yōu)這種前景，鎂光已選擇終止與Intel合作，Intel選擇出售合資公司的股份。5m  微博關(guān)注:http://weibo.com/52rd  微信關(guān)注:admin_52RD