三星新動(dòng)向，晶圓代工進(jìn)入“威懾紀元”執劍人或易換？

眾所周知，三星擁有全球最先進(jìn)的半導體制造工藝，在工藝方面它與全球最大的芯片代工廠(chǎng)臺積電處于同一水平，三星在該領(lǐng)域起步早、研發(fā)實(shí)力強，才打下了如今的霸業(yè)。目前全球內存芯片市場(chǎng)是三星、海力士、美光、東芝、西部數據等巨頭稱(chēng)霸，三星占據市場(chǎng)最大份額。

勁敵臺積電劍鋒相向多年

2014年三星電子失去蘋(píng)果A系列處理器訂單，蘋(píng)果A8處理器全部交由臺積電（TSMC）代工；2015年好不容易搶到A9處理器部分訂單，但由于良率和功耗控制不如臺積電，導致2016年的A10處理器又全部由臺積電包圓。由于失去蘋(píng)果這個(gè)大客戶(hù)，導致2014年和2015年晶圓代工營(yíng)收出現下滑。

為了填補產(chǎn)能，三星電子代工部門(mén)積極出擊，搶下高通（Qualcomm）應用處理器和服務(wù)器芯片、超微半導體（AMD）的微處理器芯片、英偉達（Nvidia）的圖形處理芯片、安霸（Ambarella）的視覺(jué)處理芯片、特斯拉（Tesla）的自駕系統芯片的訂單，得以彌補蘋(píng)果跑單的窘境。2016年營(yíng)收達到44億美元，超過(guò)2013年的水平，創(chuàng )下三星電子晶圓代工營(yíng)收的新紀錄。

在聯(lián)電、格羅方德相繼退出10nm以下制程市場(chǎng)，以及英特爾 2018年陷入產(chǎn)能不足的窘境后，三星被認為是晶圓代工龍頭臺積電近2年的唯一對手，與其一同競爭英偉達、高通等有7nm EUV技術(shù)需求的客戶(hù)。

2016~2018年三星半導體產(chǎn)值（注：含存儲器）

來(lái)源：拓墣產(chǎn)業(yè)研究院

三星是全球半導體產(chǎn)業(yè)的重要風(fēng)向標，三星電子副會(huì )長(cháng)更曾公開(kāi)表述，三星半導體事業(yè)部除了已在存儲器市場(chǎng)獨霸一方，系統半導體事業(yè)部(System LSI)及晶圓代工事業(yè)部的成長(cháng)潛力，將成為三星半導體部門(mén)未來(lái)數年的主要成長(cháng)動(dòng)能。

3nm工藝提升，上位之意昭然若揭

在5月15日（今日）的三星晶圓代工SFF美國分會(huì )上，三星宣布四種FinFET工藝，涵蓋了7nm到4nm，再往后則是3nm GAA工藝了，通過(guò)使用全新的晶體管結構可使性能提升35%、功耗降低50%，芯片面積縮小45%。

目前先進(jìn)半導體制造工藝已經(jīng)進(jìn)入10nm節點(diǎn)以下，臺積電去年率先量產(chǎn)7nm工藝，但沒(méi)有EUV光刻工藝，三星則選擇了直接進(jìn)入7nm EUV工藝，進(jìn)度上要比臺積電落后一年，不過(guò)三星現在要加速追趕了。

除了7nm FinFET工藝之外，三星還規劃了另外三種FinFET工藝——6nm、5nm、4nm，今年將完成6nm工藝的批量生產(chǎn)，并完成4nm工藝的開(kāi)發(fā)。

目前三星還在開(kāi)發(fā)3GAE工藝中，不過(guò)他們4月份就發(fā)布了3GAE工藝的PDK 1.0工藝設計套件，旨在幫助客戶(hù)盡早開(kāi)始設計工作，提高設計競爭力，同時(shí)縮短周轉時(shí)間（TAT）。

登峰之意雄心壯志

2019年4月24日，三星電子公布了未來(lái)的投資計劃和目標。三星電子的投資計劃，將在未來(lái)12年內將投資133萬(wàn)億韓元（約1200億美元）加強系統LSI和晶圓代工業(yè)務(wù)方面的競爭力，擴大非存儲器業(yè)務(wù)。其中：73萬(wàn)億韓元（約660億美元）的國內研發(fā)，60萬(wàn)億韓元（約540億美元）的生產(chǎn)基礎設施，預計每年平均投資11萬(wàn)億韓元（約100億美元）。

從三星這一舉動(dòng)可以看出，三星的目標昭然若揭：保持存儲芯片全球第一的位置的同時(shí)，在晶圓代工領(lǐng)域挑落臺積電，在CMOS圖像傳感器領(lǐng)域擊敗索尼，在營(yíng)收方面維持對英特爾的領(lǐng)先，坐穩全球第一大半導體廠(chǎng)商的寶座。

*本文部分數據觀(guān)點(diǎn)參考引用新聞報刊如下：

[1]《2019全球晶圓代工7nm產(chǎn)值成長(cháng)200%以上，三星布局對標臺積電》陳彥尹 拓墣產(chǎn)業(yè)研究院.

[2]《三星目標高遠爭當全球第一存儲芯片晶圓代工CMOS圖像傳感器還有營(yíng)收》趙元闖 芯思想.

[3]《三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%》憲瑞 快科技.