臺積電火拼三星，爭搶7納米高地

　　芯片大戰異?；馃?隨著(zhù)目前7nm工藝技術(shù)的成熟，芯片企業(yè)開(kāi)始陸續推出各自的高端芯片產(chǎn)品，比如華為的麒麟980，高通驍龍855、蘋(píng)果A12芯片都將采用最新的7nm工藝。

　　在今年臺積電召開(kāi)季度分析師會(huì )議上，7 納米技術(shù)無(wú)疑是最大亮點(diǎn)，而就在同一天，臺積電勁敵三星電子(Samsung Electronics)宣布使用極紫外光刻技術(shù)(EUV)的 7 納米 LPP 工藝開(kāi)始生產(chǎn)，踢館較勁的意味十足。

　　對于三星的動(dòng)作，臺積電高調反擊表示，手上已有 100 個(gè) 7 納米的流片(tape-out)客戶(hù)，應用在 AI 領(lǐng)域的高速運算芯片占多數，更重要的是，2019 年第二代采用 EUV 技術(shù)的 7 納米將貢獻 10 億美元營(yíng)收，完美地用客戶(hù)數量、營(yíng)收數字反擊三星的挑釁!

　　在過(guò)去，三星是蘋(píng)果A系列處理器的代工方，但隨著(zhù)臺積電的入局，蘋(píng)果的A11、A12應用處理器都被后者“獨吞”。不僅如此，英偉達(NVIDIA)新一代GPU芯片、賽靈思(Xilinx)可程序邏輯閘陣列(FPGA)芯片的訂單也被臺積電收入囊中。

　　但是，去年年底，有報道稱(chēng)因三星7納米無(wú)法趕在2018年年底前量產(chǎn)，高通的一款數據機芯片和驍龍855處理器將由臺積電接手。

　　從理論上來(lái)說(shuō)臺積電的技術(shù)是要比三星的更加成熟，目前臺積電使用的7nm工藝工藝相對比較穩定，而三星由于之前加入EUV技術(shù)研發(fā)，要在明年保證良品率量產(chǎn)難度比較大。

　　從三星和臺積電公布的7納米芯片制造技術(shù)投產(chǎn)和量產(chǎn)的時(shí)間來(lái)看，兩位競爭對手在工藝和開(kāi)發(fā)速度方面基本保持一致。但三星一直認為其在7納米技術(shù)方面處于更領(lǐng)先的位置。

　　根據三星公布的 7 納米 LPP 工藝，是使用光刻機大廠(chǎng) ASML 的 EUV 機臺技術(shù)，優(yōu)點(diǎn)是提升芯片內的電晶體密度且降低功耗。再者，因為采用 EUV 技術(shù)，光掩膜的層數減少，因此可縮短生產(chǎn)的時(shí)程，達到經(jīng)濟規模后，更可降低生產(chǎn)成本。

　　針對此點(diǎn)，臺積電也指出，第二代 7 納米導入 EUV 技術(shù)后，在部分的關(guān)鍵制程上原本需要曝光 4 次，用 EUV 技術(shù)后只要曝光 1 次，因此可縮短生產(chǎn)時(shí)間，且讓關(guān)鍵層數的技術(shù)掌握度大幅提高。

　　三星也進(jìn)一步表示，7 納米 LPP (Low Power Plus) 工藝相較前一代 10 納米工藝減少 40% 芯片面積，降低 50% 功耗，效能則是提高 20%。在生產(chǎn)成本方面，因為導入 EUV 技術(shù)是采用 13.5nm 波長(cháng)來(lái)曝光硅晶片，相較過(guò)去采用 193nm 波長(cháng)來(lái)進(jìn)行曝光的傳統 ArF 浸潤式技術(shù)需要 4 層光掩膜處理，EUV 技術(shù)只需要單層光掩膜就能完成單層硅晶片的曝光，因此縮短生產(chǎn)時(shí)程。

　　光刻機大廠(chǎng) ASML 則指出，第三季已經(jīng)完成 5 臺 EUV 光刻機的出貨，更再獲得 5 臺 EUV 光刻機的新訂單，到 2018 年底可完成 18 臺 EUV 光刻機出貨，預估 2019 年則會(huì )出貨 30 臺。根據其技術(shù)藍圖，下一代機型 NXE ： 3400C 預計于 2019 年下半年開(kāi)始出貨，達到每小時(shí) 155 片芯片的吞吐量。

　　可預見(jiàn)地，2019 年 的臺積電將由 7 納米挑大梁演出，而三星的底牌都透明化地掀出來(lái)了，那么未來(lái)的芯片市場(chǎng)將有如何的變化?讓我們拭目以待。