MOSFET的驅動(dòng)技術(shù)及應用
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結論：驅動(dòng)電阻到底選多大?還真難講，小了，EMI不好，大了，效率不好。
所以只能一個(gè)折中的選擇了。
那如果，開(kāi)通和關(guān)斷的速度要分別調節，怎么辦?就用以下電路。
MOSFET的自舉驅動(dòng)。
對于NMOS來(lái)說(shuō)，必須是G極的電壓高于S極一定電壓才能導通。那么對于對S極和控制IC的地等電位的MOS來(lái)說(shuō)，驅動(dòng)根本沒(méi)有問(wèn)題，如上圖。
但是對于一些拓撲，比如BUCK(開(kāi)關(guān)管放在上端)，雙管正激，雙管反激，半橋，全橋這些拓撲的上管，就沒(méi)辦法直接用芯片去驅動(dòng)，那么可以采用自舉驅動(dòng)電路。
看下圖的BUCK電路：
加入輸入12V，MOS的導通閥值為3V，那么對于Q1來(lái)說(shuō)，當Q1導通之后，如果要維持導通狀態(tài)，Q1的G級必須保證15V以上的電壓，因為S級已經(jīng)有12V了。
那么輸入才12V，怎么得到15V的電壓呢?
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