MOSFET的驅動(dòng)技術(shù)及應用
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其實(shí)上管Q1驅動(dòng)的供電在于 Cboot。
看下圖，芯片的內部結構：
Cboot是掛在boot和LX之間的，而LX卻是下管的D級，當下管導通的時(shí)候，LX接地，芯片的內部基準通過(guò)Dboot(自舉二極管)對Cboot 充電。當下管關(guān)，上管通的時(shí)候，LX點(diǎn)的電壓上升，Cboot上的電壓自然就被舉了起來(lái)。這樣驅動(dòng)電壓才能高過(guò)輸入電壓。
當然芯片內部的邏輯信號在提供給驅動(dòng)的時(shí)候，還需要Level shift電路，把信號的電平電壓也提上去。
Buck電路，現在有太多的控制芯片集成了自舉驅動(dòng)，讓整個(gè)設計變得很簡(jiǎn)單。但是對于，雙管的，橋式的拓撲，多數芯片沒(méi)有集成驅動(dòng)。那樣就可以外加自舉驅動(dòng)芯片，48V系統輸入的，可以采用Intersil公司的ISL21XX，HIP21XX系列。如果是AC/DC中，電壓比較高的，可以采用IR的 IR21XX系列。
下圖是ISL21XX的內部框圖。
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