MOSFET的驅動(dòng)技術(shù)及應用
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MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)管，已經(jīng)是是開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅動(dòng)器件，其驅動(dòng)表面上看來(lái)是非常簡(jiǎn)單，但是詳細分析起來(lái)并不簡(jiǎn)單。下面我會(huì )花一點(diǎn)時(shí)間，一點(diǎn)點(diǎn)來(lái)解析MOSFET的驅動(dòng)技術(shù)，以及在不同的應用，應該采用什么樣的驅動(dòng)電路。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201809/388426.htm首先，來(lái)做一個(gè)實(shí)驗，把一個(gè)MOSFET的G懸空，然后在DS上加電壓，那么會(huì )出現什么情況呢?很多工程師都知道，MOS會(huì )導通甚至擊穿。這是為什么呢?因為我根本沒(méi)有加驅動(dòng)電壓，MOS怎么會(huì )導通?用下面的圖，來(lái)做個(gè)仿真：
去探測G極的電壓，發(fā)現電壓波形如下：
G極的電壓居然有4V多，難怪MOSFET會(huì )導通，這是因為MOSFET的寄生參數在搗鬼。
這種情況有什么危害呢?實(shí)際情況下，MOS肯定有驅動(dòng)電路的么，要么導通，要么關(guān)掉。問(wèn)題就出在開(kāi)機，或者關(guān)機的時(shí)候，最主要是開(kāi)機的時(shí)候，此時(shí)你的驅動(dòng)電路還沒(méi)上電。但是輸入上電了，由于驅動(dòng)電路沒(méi)有工作，G級的電荷無(wú)法被釋放，就容易導致MOS導通擊穿。那么怎么解決呢?
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